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        格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。　　9月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場，發(fā)表主題為「以SOI技術制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進SOI技術的發(fā)展，介紹公司最新技術成果的同時也總結了SOI技術的現(xiàn)狀，并暢想了產業(yè)的未來?！　￡P于
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        • 關鍵字：
                        格芯  FD-SOI                          
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        格芯發(fā)布基于領先的FDX? FD-SOI技術平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案
        
                                                            
          
                    	
        • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯(lián)網芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車雷達、WiGig、衛(wèi)星通信以及無線回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案。　　該兩種解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術結合，為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，
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        • 關鍵字：
                        格芯  FD-SOI                          
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        格芯宣布推出基于行業(yè)領先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器
        
                                                            
          
                    	
        • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。　　正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時能使數據在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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        • 關鍵字：
                        格芯  FD-SOI                           
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        大容量的全新市場正在推動半導體商機的涌現(xiàn)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 預計半導體和代工市場將在2016-2020年出現(xiàn)強勁成長，半導體年復合增長率達4.4%，代工業(yè)年復合增長率達7.1%，而且中國代工廠的年復合增長率更高，達20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后，向部分國內媒體介紹了格芯對全球半導體市場的看法及其業(yè)務擴展計劃。
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        • 關鍵字：
                        半導體市場  FD-SOI  22FDX  12FDX  代工  20170203                          
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        莫大康冷靜看待成都的“格芯”
        
                                                            
          
                    	
        • 　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產線，GF占51%，并引入中國半導體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。
　　“格芯”之所以引起業(yè)界關注有兩點：
　　1)與廈門的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式;
　　2)導入SOI技術，目前計劃是2018年開始成熟制程量產，以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。
　　為什么SOI技術對于中國是個亮點?
　　在摩爾
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        • 關鍵字：
                        SOI  格芯                          
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        胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關注，為何?因為FD-SOI技術。
　　眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。
　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
　　今天我們就來談談Fi
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        • 關鍵字：
                        FinFET  FD-SOI                          
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        SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確
        
                                                            
          
                    	
        • 中國半導體業(yè)發(fā)展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
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        • 關鍵字：
                        SOI  finFET                          
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        新型智能手表顯示FD-SOI正當時？
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
　　因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導體產業(yè)界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業(yè)市場上有實際產品嗎?它真正的優(yōu)勢何在?
　　終于，現(xiàn)在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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        • 關鍵字：
                        智能手表  FD-SOI                          
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        RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術，占據了95%的市場份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。
　　

 
　　目前，RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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        • 關鍵字：
                        RF-SOI  5G                          
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        格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節(jié)點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
　　隨著數以百萬計的互聯(lián)設備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存
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        • 關鍵字：
                        格羅方德  FD-SOI                          
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        格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖
        
                                                            
          
                    	
        • 　　格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
　　隨著數以百萬計的互聯(lián)設備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，
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        • 關鍵字：
                        格羅方德  FD-SOI                          
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        格羅方德半導體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新
        
                                                            
          
                    	
        • 　　格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設計，并縮短產品上市時間。
　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現(xiàn)先進節(jié)點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。
　　通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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        • 關鍵字：
                        格羅方德  FD-SOI                          
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        28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
　　三星晶圓代工業(yè)務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。
　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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        • 關鍵字：
                        FD-SOI  存儲器                          
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        FD-SOI制程決勝點在14nm！
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　產業(yè)資深顧問Handel Jones認為，半導體業(yè)者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優(yōu)勢…
　　半 導體與電子產業(yè)正努力適應制程節(jié)點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統(tǒng)性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
　　

 

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        • 關鍵字：
                        FD-SOI  14nm                          
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        Globalfoundries正進行下一代FD-SOI制程開發(fā)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
　　Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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        • 關鍵字：
                        Globalfoundries  FD-SOI                          
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