- 一、變頻器的定義及應用領域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調整電機的功率，實現電機的變速運行，達到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動，避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網的沖擊，從而有效地減少無功損耗，增
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RS瑞森半導體 MOS 變頻器
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產生源，一個是固定幅值的三角波（調制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
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RS瑞森半導體 碳化硅 MOS管
- 微型逆變器，一般指的是光伏發(fā)電系統中的功率小于等于1000瓦、具組件級MPPT的逆變器，全稱是微型光伏并網逆變器?！拔⑿汀笔窍鄬τ趥鹘y的集中式逆變器而言的。傳統的光伏逆變方式是將所有的光伏電池在陽光照射下生成的直流電全部串并聯在一起，再通過一個逆變器將直流電逆變成交流電接入電網；微型逆變器則對每塊組件進行逆變。一、前言 微型逆變器，一般指的是光伏發(fā)電系統中的功率小于等于1000瓦、具組件級MPPT的逆變器，全稱是微型光伏并網逆變器。“微型”是相對于傳統的集中式逆變器而言的。傳統的光伏逆變方式是將
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RS瑞森半導體 微型逆變器
- PC電源又稱電腦電源，是電腦各部件供電的樞紐，是電腦的重要組成部分。主要作用是將220V交流電（全球不同國家電壓不同，做到80V-264Vac全球通用）變換為+5VSB、+5V、+12V、-12V、+3.3V等穩(wěn)定可靠的直流電源，供給主機箱內的系統板、各種適配器和擴展卡、 硬盤驅動器 、光盤驅動器等系統部件及鍵盤和鼠標使用，具有體積小，效率高等優(yōu)點，同時兼有過流（OCP）、過壓（OVP）、過溫（OTP）保護。PC電源又稱電腦電源，是電腦各部件供電的樞紐，是電腦的重要組成部分。主要作用是將220V交流電（全
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RS瑞森半導體 PC電源
- 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關鍵因素。一、前言碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙
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RS瑞森半導體，光伏逆變器
- 大功率開關電源就是用通過電路控制開關管進行高速的導通與截止。將直流電轉化為高頻率的交流電提供給變壓器進行變壓，從而產生所需要的一組或多組電壓。一、開關電源功率簡介 大功率開關電源就是用通過電路控制開關管進行高速的導通與截止。將直流電轉化為高頻率的交流電提供給變壓器進行變壓，從而產生所需要的一組或多組電壓。轉化為高頻交流電的原因是高頻交流在變壓器變壓電路中的效率要比50Hz高很多。所以開關變壓器可以做的很小，而且工作時不是很熱，成本很低。如果不將50Hz變?yōu)楦哳l開關電源就沒有意義。二、開關電源工作
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RS瑞森半導體 開關電源
- 運用LAYOUT技巧改善性能，可提升產品性價比，把握關鍵物料選型可降低產品故障率，縮短產品開發(fā)周期，加快產品上線。接上一篇：關于 LAYOUT通用原則在LLC系列方案中提升穩(wěn)定性的應用做分享，本篇對LAYOUT中ESD的對策及瑞森LLC系列方案做設計時，關鍵物料選型事項繼續(xù)做分享。一、PCB LAYOUT中ESD的對策 （一）PCB LAYOUT的關鍵中的重點：功率回路經過正確的路徑回流。（二）在不同電位的兩個銅箔之間，尤其是高壓側與低壓側的間距需要大于或等于P，如下公式：P 〉0.015*(V
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RS瑞森半導體 PCB
- 現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
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RS瑞森半導體 MOSFET
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