又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

• 韓國(guó)媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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