EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mos集成電路
mos集成電路介紹
以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路 。簡(jiǎn)稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩(wěn)定性，MOSIC得到迅速發(fā)展。與 雙極型集成電路 相比，MOSIC具有以下優(yōu)點(diǎn)：①制造結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，隔離方便。②電路尺寸小、功耗低適于高密度集成。③MOS管為雙向器件，設(shè)計(jì)靈活性高。④具有動(dòng)態(tài)工作獨(dú)特的能力。⑤溫度特性好。其缺點(diǎn)是速度較 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473