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傳三星正積極研究Gate-last工藝
- 據(jù)消息來源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉(zhuǎn)向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃，他們將在年內(nèi)推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝，而在22nm制程則會轉(zhuǎn)向采用gate-last工藝。于此同時，三星芯片代工業(yè)務部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉(zhuǎn)向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
- 關(guān)鍵字： 三星 Gate-last
臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝
- 去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺積電負責技術(shù)研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實現(xiàn)計劃。 Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
- 關(guān)鍵字： 臺積電 Gate-last 28nm
臺積電28納米明年1Q試產(chǎn) 迎擊IBM陣營
- 臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。 臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍圖，預計2010年第3季進行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 28納米 gate-last
行政院計畫興建第二通道 與中華電信抗衡
- 為有效??解我國最後一哩（last mile）的困境，行政院提出「寬頻管道建置計畫」，也就是投入370億元，在全國建置6,000公里的第二共同管道寬頻網(wǎng)路環(huán)境，和中華電信相抗衡，以協(xié)助其它固網(wǎng)及二類電信業(yè)者，能獲得更公平的競爭機會
- 關(guān)鍵字： Last 中華電信 寬頻網(wǎng)路
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