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DDR測(cè)試--SDRAM時(shí)鐘分析案例

前個(gè)周末接到了一個(gè)朋友的電話，詢問我如果內(nèi)存有問題，需要測(cè)試哪些項(xiàng)目？對(duì)于這個(gè)很常見的問題，我習(xí)慣性的回答他...
關(guān)鍵字： DDR測(cè)試 SDRAM 時(shí)鐘分析

　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時(shí)鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會(huì)出現(xiàn)在市場(chǎng)上。
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