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	5納米
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        臺積電披露5納米制程最新進(jìn)展：測試良率超過8成
        
                                                            
          
                    	
        • 根據(jù)外媒報導(dǎo)，日前在國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting，IEDM）大會上，晶圓代工龍頭臺積電官方披露了5納米制程的最新進(jìn)展。
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        • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5納米  良率                          
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        三星聯(lián)合ARM與新思科技開發(fā)5納米制程優(yōu)化工具
        
                                                            
          
                    	
        • 在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭，目前僅剩下臺積電、三星、以及英特爾。不過，因為英特爾以自己公司的產(chǎn)品生產(chǎn)為主，因此，臺積電與三星的競爭幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。
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        • 關(guān)鍵字：
                        三星  ARM  新思科技  5納米                          
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        后CMOS制程時代 摩爾定律如何再延續(xù)30年
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 摩爾定律(Moore’s Law)雖然是英特爾(Intel)共同創(chuàng)辦人Gordon Earle Moore所創(chuàng)，至今超過50年歷史，但在貢獻(xiàn)讓摩爾定律繼續(xù)推進(jìn)的角色上，英特爾絕非最大且唯一的貢獻(xiàn)者，如今在半導(dǎo)體晶圓制造業(yè)界努力下，摩爾定律正在經(jīng)歷再次演進(jìn)期。
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        • 關(guān)鍵字：
                        ?摩爾定律  CMOS制程  5納米                          
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        臺積電5納米或提前到明年3月量產(chǎn)
        
                                                            
          
                    	
        • 臺積電７納米產(chǎn)能爆滿之際，５納米布局也傳捷報。在蘋果、海思、超微、比特大陸和賽靈思五大客戶都決定采用５納米作為下世代主力芯片制程下，臺積電５納米需求超預(yù)期，并大幅上修產(chǎn)能布建，由原訂每月５．１萬片大增至７萬片，增幅近四成，同時加速量產(chǎn)腳步，提前明年３月量產(chǎn)。
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        • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5納米  量產(chǎn)                          
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        吃下蘋果 臺積電5納米繼續(xù)領(lǐng)先三星
        
                                                            
          
                    	
        • 自去年底開始，三星就放話要以3納米制程技術(shù)搶走臺積電訂單，但供應(yīng)鏈業(yè)者認(rèn)為其生態(tài)系將會逐漸壓倒三星。
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        • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5納米  三星                          
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        臺積電7納米+、5納米進(jìn)程領(lǐng)先　大聯(lián)盟營運(yùn)抗跌 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈表示，臺積電投資大量資金研發(fā)最新技術(shù)，盡管近期營運(yùn)遇逆風(fēng)，但先進(jìn)制程或廠務(wù)設(shè)備機(jī)器購置依舊按既定計畫進(jìn)行，隨著下半年營運(yùn)回溫，設(shè)備、材料供應(yīng)鏈業(yè)績亦可望同步先蹲后跳。
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        • 關(guān)鍵字：
                        7納米+  5納米  臺積電                          
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        狠甩三星,臺積電推出5納米開放創(chuàng)新平臺設(shè)計架構(gòu)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 臺積電制程技術(shù)領(lǐng)先幅度持續(xù)擴(kuò)大，3日正式宣布在開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform；OIP)之下推出5納米設(shè)計架構(gòu)的完整版本，協(xié)助客戶實現(xiàn)支持下一世代先進(jìn)行動及高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品的5納米系統(tǒng)單芯片設(shè)計，目標(biāo)鎖定具有高成長性的5G與人工智能(AI)市場。
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        • 關(guān)鍵字：
                        5納米  臺積電                          
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        IBM用迄今最新工藝制成5納米芯片
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　摩爾定律在20年前就被唱衰，但直到現(xiàn)在，半導(dǎo)體工程師們?nèi)匀话l(fā)揚(yáng)釘子精神，從方寸之地騰挪出無限空間。
　　

 
　　IBM公司研究團(tuán)隊6月在日本京都宣布，其在晶體管的制造上取得了巨大的突破——在一個指甲大小的芯片上，從集成200億個7納米晶體管飛躍到了集成300億個5納米晶體管。
　　半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于打造5納米節(jié)點(diǎn)替代方案。IBM此次宣布的最新“全包圍門”結(jié)構(gòu)，被認(rèn)為是晶體管的未來;即將投入生產(chǎn)的5納米芯片，將使用工藝成本有所降低
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        • 關(guān)鍵字：
                        IBM  5納米                          
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        臺積電啟動5納米建廠計劃 月產(chǎn)能有望上看9～10萬片
        
                                                            
          
                    	
        • 　　晶圓代工龍頭臺積電14日召開季度例行董事會，會中決議通過資本預(yù)算約1,298億元(新臺幣，下同)，其中包括將投入逾505億元興建廠房的資本支出，正式啟動5納米新廠的建廠計劃。
　　設(shè)備業(yè)者指出，臺積電位于臺灣地區(qū)南科園區(qū)內(nèi)的5納米新廠總投資金額上看2,000億元，要趕在2019年上半年完成建廠、下半年進(jìn)入試產(chǎn)，2020年正式量產(chǎn)。
　　臺積電昨天召開董事會，會中決議核準(zhǔn)資本預(yù)算約新臺幣1298億元，包括興建廠房資本預(yù)算約505億元，其他項目資本預(yù)算約793億元，用來擴(kuò)充及升級先進(jìn)制程產(chǎn)能、擴(kuò)充先進(jìn)
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        • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5納米                          
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        臺積電提出3至5納米的先進(jìn)制程投資藍(lán)圖：2020年動工 2022年量產(chǎn)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　臺積電持續(xù)在中國臺灣地區(qū)投資先進(jìn)制程，臺科技部長楊弘敦 6 日證實，臺積電預(yù)計將斥資 5,000 億元在南科高雄園區(qū)籌建 3 納米、5 納米制程，新廠將可望在 2020 年動工、2022 年量產(chǎn)。
　　每 4 年一次的臺灣科學(xué)技術(shù)會議 6 日登場，楊弘敦在會中透露，臺積電已提出 3 至 5 納米制程的先進(jìn)制程投資藍(lán)圖，中國臺灣地區(qū)科技部認(rèn)為南科高雄園區(qū)最適合，臺積電該計劃需 50 至 80 公頃土地，規(guī)劃將在 2020 年動工、2022 年量產(chǎn)，年營業(yè)額估計約 2,000 億元，可創(chuàng)造約 1 萬個就
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        • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5納米                          
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        5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重 成本之高超乎想象
        
                                                            
          
                    	
        • 　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。
　　而對于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線來說，至今業(yè)界
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        • 關(guān)鍵字：
                        5納米  finFET                          
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        Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.
　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類.

　　This image shows phase-change memory bu
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        • 關(guān)鍵字：
                        Intel  5納米  DRAM  NAND                          
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