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        臺積電公開回復:東芝競標案和3nm廠選址

        •   臺積電13日的法說會中,針對近期兩大熱門議題:日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址,一一對外界做最新的回覆。   自從臺積電董事長張忠謀公開表示,考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后,臺積電對該案的態(tài)度備受市場關(guān)注,尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。   臺積電13日指出,內(nèi)部確實評估過該案,但最后決定不去參與競標,主要是兩大原因,第一,內(nèi)部認為這種標準型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣,第二是
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        英特爾7億美金建廠美國 臺積電5000億投資3nm技術(shù)

        •   晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項,且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區(qū)媒體報道稱,臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。   擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn)   臺媒引述指出,臺積電政策轉(zhuǎn)向,主因是南科高雄園區(qū)路竹基地,環(huán)評作業(yè)完成時間可能無法配合臺積電需求,加上空氣品質(zhì)及臺灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳,也是干擾設廠的變數(shù)。   臺積電表示,南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外,持續(xù)觀察,選地尚未決定。至于電力問題,臺積電重申,考慮設廠地點,水、電、土地、人才,
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        臺積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線

        •   臺科技部長陳良基15日接受經(jīng)濟日報專訪時表示,他上任后主動拜會臺積電董事長張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協(xié)助,也會特別關(guān)注半導體產(chǎn)業(yè),并從近程及長期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級。   對于空污總量管制等環(huán)保要求,會否影響臺積電3納米進程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒有不能解決的悲觀?!顾㈩A言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動科技(Appier),十年后有可能成為另一個「臺積電」。   陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
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        半導體走到3nm制程節(jié)點不成問題

        •   在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上,世界領(lǐng)先的獨立納米技術(shù)研究機構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出,“scaling(尺寸縮小)還會繼續(xù),我不僅相信它將會繼續(xù),而且我認為它不得不繼續(xù)。”   他認為,目前從技術(shù)層面來說,F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進到3nm的制程節(jié)點。EUV光刻技術(shù)將是未來的唯一選擇。
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