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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

        高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一

        •   10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎,實現多個項目上金牌和獎牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕,共舉行8個項目的比賽,吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐?! ∑渲校瑏碜詮V州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發(fā)項目金牌,成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?! 碜陨钲诩紟煂W院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術項目、云計算項目金牌,實現我國在這兩個項目上
        • 關鍵字: 世界技能大賽  3D  云計算  

        SK海力士與美國完成協(xié)商,確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備

        • SK海力士于10月12日通過聲明表示,公司完成與美國商務部進行協(xié)商,確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此,SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應,進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示:“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產半導體產品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作,在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?!泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱,將限制用于在中國生產18納米以下
        • 關鍵字: SK海力士  DRAM  NAND  

        業(yè)界首發(fā),美光232層NAND,開啟存儲技術創(chuàng)新浪潮

        • 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時容量更大的閃存產品,這是美光研發(fā)工程師每天都要應對的挑戰(zhàn)。隨著各國對數字化轉型和云遷移的重視,世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統(tǒng)實時大數據更新,以及移動設備、消費電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術為這些高性能存儲應用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構,高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構,通過增加NAN
        • 關鍵字: 美光  232層  NAND  存儲技術  

        AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

        • 疫情突顯產業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉型,走向更自動化、數字化的智能化方向。因此,各產業(yè)對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉型,走向更自動化、數字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產線及產品質量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢,還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄,降低不必要的時間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
        • 關鍵字: 自動光學檢測  AOI  AI  3D  檢測鐵三角  

        西門子與聯華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

        • 西門子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯華電子 (UMC) 合作,面向聯華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術,提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術,客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現多個組件功能。相比于在 PCB
        • 關鍵字: 西門子  聯華電子  3D IC  混合鍵合流程  

        集邦:第四季NAND Flash價格續(xù)跌15~20%

        • 根據集邦科技研究顯示,目前NAND Flash正處于供過于求,下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量,賣方開出破盤價以鞏固訂單,使第三季NAND晶圓(wafer)價格跌幅達30~35%,但各類NAND Flash終端產品仍疲弱,原廠庫存因此急速上升,預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15~20%。集邦表示,因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌,多數原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損,意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下,對于采取減產以降低虧
        • 關鍵字: 集邦  NAND Flash  

        庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13~18%

        • 市調機構表示,在高通脹影響下,消費性產品需求疲軟且旺季不旺,第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現季減,各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購,導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變,市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形,導致第四季DRAM價格續(xù)跌13%~18%。標準型DRAM方面,由于筆電需求疲弱,OEM廠仍將著重去化DRAM庫存,而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下,未有實際減產情形,故位產出仍持續(xù)升高,供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
        • 關鍵字: 集邦  DRAM  NAND  

        拆機證實,國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產 NAND 閃存

        • IT之家 9 月 16 日消息,9 月 8 日,蘋果召開新品發(fā)布會,正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機,起價 5999 元。在此之前,韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈,將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片,但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前,蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此,市場觀察人士認為,蘋果與長江存儲合作,將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
        • 關鍵字: iPhone 14  NAND  長江存儲  

        NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額

        • 根據市場研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示,在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中,三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據數據顯示,2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成,2022年二季度銷售額位36.15億美元,環(huán)比增長12.1%,超越了鎧俠,成為了全球第二大NAND閃存廠商,兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
        • 關鍵字: NAND  內存  

        FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash

        • 江波龍(股票代碼:301308)近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā),能夠極大地幫助客戶降低整機系統(tǒng)成本,并提升終端的產品競爭力。目前,FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產,在智能穿戴、物聯網模塊、安防監(jiān)控、網絡通訊等領域得到廣泛應用。加量減價,降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統(tǒng)存儲容量需求的不同,客
        • 關鍵字: 江波龍  NAND  

        三星電子236層NAND閃存預計年內開始生產

        • 據國外媒體報道,當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子,預計會在年內開始生產236層NAND閃存。此外,它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心,負責更先進NAND閃存產品的開發(fā)。韓國媒體在報道中還表示,三星目前量產的NAND閃存,最高是176層,在236層的產品量產之后,三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報道來看,三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示,在NAND閃存市場,三星電子的市場份額占了35%,為全球最高。將層數增加60層后,他們計劃憑借生產技術、價格及
        • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

        業(yè)界首發(fā),不二選擇:美光推出全球首款232層NAND

        • 半導體行業(yè)十分有趣,同時也充滿挑戰(zhàn)。俗話說,“打江山難,守江山更難”,這句話形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力,不斷突破物理、化學、制造和創(chuàng)新的極限,以推動邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時容量更大的閃存技術是我們每天都要應對的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術與率先推出的新產品再攀高峰,借此機會讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認為3D NAND技術的領導廠商,之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術,再次
        • 關鍵字: 美光  232層  NAND  

        集邦:明年DRAM需求位成長8.3%創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

        • 根據集邦科技指出,2023年DRAM市場需求位成長僅8.3%,是歷年來首度低于10%,遠低于供給位成長約14.1%,分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻,價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求,但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看,高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求,故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標,尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題,品牌超額下訂,加上通路銷售遲緩,使得目前筆電整機庫存去化緩慢,造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面,
        • 關鍵字: 集邦  DRAM  NAND  

        美光出貨全球首款232層NAND,進一步鞏固技術領先地位

        • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領先的創(chuàng)新技術,從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比,該產品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效,能為客戶端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術與產品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過 200 層,
        • 關鍵字: 美光  232層  NAND  

        SSD價格還將要大降價:NAND供應過剩

        • 芯研所7月22日消息,TrendForce集邦咨詢表示,需求未見好轉,NAND Flash產出及制程轉進持續(xù),下半年市場供過于求加劇,包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應鏈風險。因渠道庫存去化緩慢,客戶拉貨態(tài)度保守,造成庫存問題漫溢至上游供應端,賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預估,由于供需失衡急速惡化,第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%,且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應鏈的說法,雖然仍
        • 關鍵字: NAND  SSD  存儲  
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        3d-nand介紹

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