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立锜發(fā)布單節(jié)鋰離子電池充電IC─RT9502
- 立锜科技(RichtekTechnology)針對單節(jié)鋰離子和鋰高分子電池應用推出創(chuàng)新設(shè)計的充電IC─RT9502。該產(chǎn)品提供了簡單的外部線路架構(gòu)、整合性的MOSFET、自動選擇ADAPTER和USB雙輸入來源，且充電指示燈號不會因為拿掉電池而產(chǎn)生微亮的錯誤信號，具備簡單的充電電流設(shè)定，在簡化了整機電路和軟件設(shè)計的同時，更提供高達18V的過電壓保護。 目前便攜式的電子產(chǎn)品已經(jīng)走向輕薄短小的趨勢，而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢的應用，RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
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盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品
- 盛群半導體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格，可以廣泛應用于各種產(chǎn)品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產(chǎn)品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi)，HT1087擁有極佳的負載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內(nèi)建的保護功能有過電流及過熱保護，為系統(tǒng)及IC提供必要的保護。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負載。
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
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遠翔雙組外推DC/DC同步整流IC具保護功能
- 遠翔科技將在2007年第二季推出雙組外推NMOS的DC/DC同步整流IC，將補齊產(chǎn)品系列現(xiàn)階段從5A以上使用的負載規(guī)格；這顆編號FP5148的IC采用散熱型低腳數(shù)SOP16及QFN-16L小型封裝，IC本身具備較寬的操作電壓范圍，并可由使用者自行調(diào)整PWM工作頻率和電源軟激活時間，在保護機制上針對電源異常部分則提供有過電流、短路及欠壓等保護功能，必要時亦可藉由HousekeepingIC直接關(guān)閉IC來達成待機或斷電保護狀態(tài)。 遠翔科技并于該季另提供有1A-3A負載規(guī)格使用外推PMOS雙組差相型I
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盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品
- 盛群半導體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格，可以廣泛應用于各種產(chǎn)品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產(chǎn)品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi)，HT1087擁有極佳的負載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內(nèi)建的保護功能有過電流及過熱保護，為系統(tǒng)及IC提供必要的保護。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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半導體制程微細化技術(shù)再突破 從65nm到45nm的微觀神話
- 半導體制程微細化趨勢1965年Intel創(chuàng)始人Moore提出“隨著芯片電路復雜度提升，芯片數(shù)目必將增加，每一芯片成本將每年減少一半”的規(guī)律之后，半導體微細化制程技術(shù)日新月異，結(jié)構(gòu)尺寸從微米推向深亞微米，進而邁入納米時代。半導體制程微細化趨勢也改變了產(chǎn)業(yè)的成本結(jié)構(gòu)，10年前IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)投入線路設(shè)計與掩膜制程的費用，僅占總體成本的13%，半導體生產(chǎn)制造成本約占87%。自2003年進入深亞微米制程后，IC線路設(shè)計及掩膜成本便大幅提升到62%。當芯片結(jié)構(gòu)體尺寸小于100納米時，光學光刻技術(shù)便面臨技術(shù)關(guān)鍵：硅晶制程
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IC：摩爾定律驅(qū)動下集成度和復雜度加速提高
- 設(shè)計技術(shù)：面向SoC設(shè)計成主流 面向SoC的設(shè)計方法將成主流 由于電子整機系統(tǒng)不斷向輕、薄、小的方向發(fā)展，集成電路功能也由單一向復雜轉(zhuǎn)變，并且向系統(tǒng)集成發(fā)展的方向已經(jīng)明確。目前，SoC電路已經(jīng)能在單一硅芯片上實現(xiàn)信號采集、轉(zhuǎn)換、存儲、處理和輸入/輸出等功能。由此可見，將數(shù)字電路、存儲器、CPU、DSP、射頻電路、模擬電路、傳感器甚至微機電系統(tǒng)(MEMS)等集成在單一芯片上，實現(xiàn)一個完整系統(tǒng)功能的SoC設(shè)計將成為未來集成電路設(shè)計的主流。未來SoC芯片的設(shè)計將以IP復用為基礎(chǔ)，把已優(yōu)化的子系統(tǒng)甚至系統(tǒng)級模塊納
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北京集成電路設(shè)計業(yè)規(guī)模居國內(nèi)第一
- 記者從16日在京舉行的“集成電路設(shè)計服務—封裝測試論壇”了解到，北京集成電路設(shè)計業(yè)規(guī)模穩(wěn)居國內(nèi)第一。 北京市科委提供的數(shù)據(jù)顯示，2006年，北京集成電路設(shè)計業(yè)以近60億元的銷售總額穩(wěn)居國內(nèi)第一，遠遠超過其他省市。在最近3年的全國十大集成電路設(shè)計企業(yè)排行榜上，北京每年均有4家企業(yè)入圍。 目前北京的集成電路設(shè)計企業(yè)已超過100家，龍芯、眾志、星光系列等一批“中國芯”都屬于國家重大創(chuàng)新成果。在北京市科委支持下，北京華大泰思特半導體檢測技術(shù)公司和北京自動化測試技術(shù)研究所共同承擔的“北京集成電路設(shè)
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富士通推出汽車導航與數(shù)字儀表板用大規(guī)模集成電路
- 富士通微電子針對新一代汽車器件開發(fā)了一種系統(tǒng)大規(guī)模集成電路，僅在一顆芯片中就集成了各種功能，如二維/三維圖像、汽車通訊控制系統(tǒng)、程序保護功能和各種多媒體接口。該產(chǎn)品可處理來自汽車導航器件或數(shù)字儀表板的數(shù)據(jù)和車載網(wǎng)絡的信息，從而在提供舒適駕駛環(huán)境的同時，實現(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。另外，把這些特點集成在一顆芯片上還可以減少系統(tǒng)成本。 當前，汽車信息娛樂系統(tǒng)，尤其是汽車導航器件，在全球范圍內(nèi)的市場正在不斷擴大，因此為實現(xiàn)進一步發(fā)展，有必要減少額外的系統(tǒng)成本并提高顯示圖像質(zhì)量。 同時，就儀表板系統(tǒng)而言（如儀器簇），
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3D智能導航，未來GPS的發(fā)展方向？
- 車載GPS的出現(xiàn)，給駕車者提供了極大地方便。目前，隨著中國開始進行以省、市為主體的ITS(智能道路交通系統(tǒng))建設(shè)，車載導航系統(tǒng)也將發(fā)生一些新的變化，如車載導航系統(tǒng)是采用原裝還是后裝產(chǎn)品、如何把車載導航系統(tǒng)與車載音響進行融合？車載導航信息以什么樣的方式顯示？從IIC一些公司的展示產(chǎn)品我們可以發(fā)現(xiàn)一些趨勢。 ST的導航系統(tǒng)可以收看數(shù)字電視節(jié)目車載導航和車載音響的融合 從瑞薩展出的車載信息系統(tǒng)設(shè)備來看，因為目前駕駛者傾向于語音指路的模式，所以，車載導航系統(tǒng)和車載音響會出現(xiàn)融合。另外，融合到這
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3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]
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