3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價蠢動
- 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現短缺。 供應鏈業(yè)者同步透露，金價持續(xù)上漲、產品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉嫁成本上漲，包括群聯、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實，確實2025年5月上旬時，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據三菱發(fā)出的通知內容指出，
- 關鍵字： 臺積電 CoWoS BT載板基材 NAND 主控芯片
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
- 關鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash
- 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列
- 關鍵字： 兆易創(chuàng)新 QSPI NAND
兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性讀取速度，助力應用快速啟動
- 近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
- 關鍵字： 兆易創(chuàng)新 Flash NAND
美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產品提價3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
- 關鍵字： 內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求
- AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產能將達250.48億Gb，占NAND總產能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數據，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
- 關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash
存儲市場復蘇，關鍵看AI
- 存儲市場新一輪的逆風，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調價覆蓋所有渠道及消費類產品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價，后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應方面，美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯也透露，
- 關鍵字： NAND
3d nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d nand電路
3d nand相關帖子
3d nand資料下載
3d nand專欄文章
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473