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	3d dram
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
        
                                                            
          
                    	
        • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND 
Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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        • 關鍵字：
                        DRAM  NAND Flash  TrendForce                          
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        2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
        
                                                            
          
                    	
        • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional
 
DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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        • 關鍵字：
                        HBM  DRAM  TrendForce                          
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        5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
        
                                                            
          
                    	
        • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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        • 關鍵字：
                        5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC                          
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        聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產(chǎn)
        
                                                            
          
                    	
        • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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        • 關鍵字：
                        聯(lián)電  3D IC                          
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        SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
        
                                                            
          
                    	
        • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應對AI半導體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會批準該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設，目標是在2025年11月完工，并進行早期批量生產(chǎn)。隨著設備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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        • 關鍵字：
                        SK海力士  AI  DRAM                          
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        如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲
        
                                                            
          
                    	
        • 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領域似乎正在趨于融合。
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        • 關鍵字：
                        3D-IC                          
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        Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云
        
                                                            
          
                    	
        • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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        • 關鍵字：
                        Zivid  3D  機器人                          
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        存儲大廠技術之爭愈演愈烈
        
                                                            
          
                    	
        • AI、大數(shù)據(jù)等應用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結構，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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        • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM  TrendForce                          
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        美光：預計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應造成中等個位數(shù)百分比影響
        
                                                            
          
                    	
        • IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內(nèi)存供應造成“中等個位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設有桃園和臺中兩座生產(chǎn)據(jù)點。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導致當時桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內(nèi)存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產(chǎn)，但得
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        • 關鍵字：
                        DRAM  閃存  美光                          
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        3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時
        
                                                            
          
                    	
        • 在 AI 服務器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
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        • 關鍵字：
                        3D DRAM                          
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        3D NAND，1000層競爭加速！
        
                                                            
          
                    	
        • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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        • 關鍵字：
                        3D NAND  集邦咨詢                          
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        加注西安工廠 美光期待引領創(chuàng)芯長安
        
                                                            
          
                    	
        • 怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對中國市場最有信心的表示當然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導體企業(yè)在國內(nèi)最大的工廠投資建設工程。據(jù)悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動DRAM、N
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        • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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        三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
        
                                                            
          
                    	
        • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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        • 關鍵字：
                        三星  MR-RUF  DRAM  HBM                          
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        又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術
        
                                                            
          
                    	
        • 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 
技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 
(HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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        • 關鍵字：
                        存儲  DRAM  MUF技術                          
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        三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求
        
                                                            
          
                    	
        • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。                                                      &n
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        • 關鍵字：
                        三星  HBM3E  DRAM  人工智能                          
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