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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d閃存

        鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

        • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,日前, 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù),以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉,鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù),分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列,然后鍵合在一起,類似長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層,對比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品(BiCS FLASH? generation 8)實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升,達(dá)到4.8G
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        紫光64層3D閃存正式亮相 國產(chǎn)1TB硬盤有望

        • 在日前召開的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上,紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展,其中首次公開展出了旗下長江存儲研發(fā)的64層堆棧3D閃存,采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu),核心容量也提升到了256Gb。
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        長江存儲將如期于年底量產(chǎn)64層3D閃存:加劇市場競爭

        •   SSD的價(jià)格迎來一些新變數(shù)?! ‘a(chǎn)業(yè)鏈消息,中國長江存儲將如期在今年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,此舉將把國產(chǎn)顆粒與世界頂級品牌的技術(shù)差距縮短到兩年左右?! ⊥瑫r(shí),在閃存價(jià)格不斷下探的2019年,長江存儲的入局將進(jìn)一步加劇競爭態(tài)勢,使得價(jià)格爭奪更猛烈?! τ谶@樣的新面孔,美光執(zhí)行副總裁Sumit Sadana最近表示,他和公司密切關(guān)注中國存儲新星的動態(tài)。不過,他同時(shí)指出,無論品質(zhì)還是良率,新企業(yè)還有很大的提升空間,包括滿足客戶的各種需求?! adana認(rèn)為,位列前茅的閃存企業(yè)不會被趕出市
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        低功耗SSD控制器:X1支持可靠的3D閃存

        •   2019年2月12日,德國康斯坦茨--今天Hyperstone宣布推出型號為X1的新型SATA III SSD控制器。X1的設(shè)計(jì)完全滿足工業(yè)領(lǐng)域需求,目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模組,CFast卡和eSSD的系統(tǒng)封裝盤以及板載控制器和閃存芯片的閃存盤等。  基于先進(jìn)的以閃存子頁轉(zhuǎn)換層為基礎(chǔ)的hyMap技術(shù),X1在不需外部DRAM器件的情況下實(shí)現(xiàn)了出眾的隨機(jī)寫入性能,最小的寫入放大系數(shù)以及高耐久性。新推出的FlashXE (耐久力擴(kuò)展)技術(shù)具備校準(zhǔn)、軟解碼的錯誤校正和錯
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        鎂光:3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

        •   近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道,鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。        鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對內(nèi)存容量的需求越來越高,虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示,在幾年
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        3d閃存介紹

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