應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術

• 半導體設備大廠應用材料推出多項創(chuàng)新技術，協(xié)助客戶運用極紫外光（EUV）持續(xù)進行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術優(yōu)化（DTCO）與3D技術，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
• 關鍵字： 應用材料  EUV  2D微縮  3D環(huán)繞閘極  晶體管