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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 28納米

        臺積電率先推出28納米低耗電平臺

        •   臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域,成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù),同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝,將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝,使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗(yàn)證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
        • 關(guān)鍵字: 臺積電  SRAM  28納米  低耗電  氮氧化硅  多晶硅  

        2008年10月9日,四家公司宣布開發(fā)32納米和28納米SoC設(shè)計(jì)平臺

        •   2008年10月9日 IBM、特許半導(dǎo)體制造有限公司、三星電子有限公司以及ARM公司宣布將在high-k metal-gate (HKMG)技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)一個(gè)完整的32納米和28納米的片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)平臺。
        • 關(guān)鍵字: ARM  SoC  32納米  28納米  

        臺積電將28納米制程定位為全世代制程

        •   臺積電日前宣布,將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程,同時(shí)提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate,HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇,以支持不同產(chǎn)品的應(yīng)用及效能需求。此一28納米制程預(yù)計(jì)于2010年第一季開始生產(chǎn)。   臺積公司28納米系列制程同時(shí)具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化硅閘晶體管兩種選擇的彈性制造能力,而28納米制程將是此一系列中的全世代制程。目前有多個(gè)客戶正使用臺積公司28納米制程進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì),藉由與客戶密切的協(xié)同合作,可以讓客戶選用最佳化的晶體管材料
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        28納米介紹

        就是指制造工藝,比如說CPU,以前的制造工藝是130nm,后來又出現(xiàn)了90nm、45nm、30nm、22mn等,28nm好像是顯卡的制造工藝。 28納米工藝,指的是手機(jī)主板芯片里面的半導(dǎo)體溝道之間的距離,現(xiàn)在做到28納米了,之所以賣家要說這點(diǎn),是科技進(jìn)步的表現(xiàn),能做到越小,這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn),越小集成度越高,但是隨之而來會出現(xiàn)負(fù)面的效應(yīng),耗能散熱的問題,電子通過的通道越窄,一來是工藝越難 [ 查看詳細(xì) ]

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        28納米    樹莓派    linux   
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