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        RTI Connext Drive參展CES 2025,以領(lǐng)先通信框架加速SDV開發(fā)

        • Connext Drive已被20多家OEM制造商采用,納入十多個(gè)生產(chǎn)項(xiàng)目,在全球范圍內(nèi)通過了道路驗(yàn)證和安全認(rèn)證
        • 關(guān)鍵字: RTI Connext Drive  CES 2025  SDV  

        IFA 2025新聞發(fā)布會(huì)在深圳成功舉行,與中國(guó)企業(yè)再鑄輝煌

        • IFA柏林國(guó)際消費(fèi)電子和家電產(chǎn)品展覽會(huì)在2024年11月29日在深圳舉行新聞發(fā)布會(huì),回顧了中國(guó)參展商及合作伙伴在IFA 2024的成功合作,并表示將在IFA 2025延續(xù)和擴(kuò)大這一堅(jiān)實(shí)的合作關(guān)系。此次活動(dòng)上,IFA強(qiáng)調(diào)了中國(guó)市場(chǎng)對(duì)全球創(chuàng)新的重要性,以及其作為全球領(lǐng)先的消費(fèi)電子和家電產(chǎn)品展覽會(huì)的重要作用。中國(guó)是全球最重要的經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)之一,IFA與中國(guó)企業(yè)密切合作,旨在幫助中國(guó)企業(yè)進(jìn)一步扎根歐洲市場(chǎng),以成功應(yīng)對(duì)長(zhǎng)期的市場(chǎng)挑戰(zhàn)。同時(shí),這一緊密合作亦將增強(qiáng)知名品牌的先鋒作用,助力其在全球釋放創(chuàng)新潛力,并開啟富有成效
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        戴爾發(fā)布2025 財(cái)年Q3財(cái)報(bào):營(yíng)收244 億美元 同比增10%

        • 11月27日消息,戴爾科技集團(tuán)公布了2025財(cái)年第三財(cái)季業(yè)績(jī)報(bào)告。營(yíng)收為244億美元,同比增長(zhǎng)10%。運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為17億美元,non-GAAP 運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為22億美元,均同比增長(zhǎng)12%。每股攤薄收益為1.58美元,同比增長(zhǎng)16%;non-GAAP 每股攤薄收益為2.15美元,同比增長(zhǎng)14%。戴爾科技集團(tuán)首席財(cái)務(wù)官 Yvonne McGill 表示:“我們繼續(xù)鞏固在人工智能(AI)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位和發(fā)展勢(shì)頭,基礎(chǔ)設(shè)施解決方案集團(tuán)(ISG)和客戶端解決方案集團(tuán)(CSG)的合計(jì)營(yíng)收達(dá)235億美元,同比增長(zhǎng)13
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        VLSI 設(shè)計(jì)中的線性 RC 延遲模型

        • 眾所周知,為了使晶體管更小,人們做了大量工作。然而,仍然需要對(duì) VLSI 電路和模塊進(jìn)行相應(yīng)的工作,以適應(yīng)更小的設(shè)計(jì)。這些 VLSI 電路和模塊可能很簡(jiǎn)單,只有幾個(gè)邏輯門(包含兩到四個(gè)晶體管),也可能是包含成千上萬(wàn)個(gè)晶體管的更大系統(tǒng)。相反,這些系統(tǒng)需要滿足各種工作條件下的速度/延遲和功率要求。眾所周知,為了使晶體管更小,人們做了大量工作。然而,仍然需要對(duì) VLSI 電路和模塊進(jìn)行相應(yīng)的工作,以適應(yīng)更小的設(shè)計(jì)。這些 VLSI 電路和模塊可能很簡(jiǎn)單,只有幾個(gè)邏輯門(包含兩到四個(gè)晶體管),也可能是包含成千上萬(wàn)個(gè)
        • 關(guān)鍵字: VLSI  

        國(guó)際集成電路頂會(huì)收錄論文數(shù)公布,中國(guó)首次位居世界第一

        • IT之家 11 月 20 日消息,相對(duì)于 IEEE 國(guó)際研討會(huì),在半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域還有著三大盛會(huì)的存在,他們分別是:ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議)、IEDM(International Electron Devices Meeting,國(guó)際電子器件會(huì)議)、VLSI(Symposium on VLSI Technology and Circuits,超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會(huì))。這三大會(huì)議,并稱集
        • 關(guān)鍵字: ISSCC  IEDM  VLSI  IEEE  

        俄2025年前或組建戰(zhàn)斗機(jī)器人部隊(duì)

        • 據(jù)報(bào)道,俄羅斯準(zhǔn)備在2025年前組建能夠完成作戰(zhàn)任務(wù)的戰(zhàn)斗機(jī)器人部隊(duì)。
        • 關(guān)鍵字: 俄羅斯  2025  戰(zhàn)斗機(jī)器人  

        現(xiàn)代汽車全新戰(zhàn)略:到2025年在新技術(shù)領(lǐng)域投資350億美元

        • 據(jù)路透社報(bào)道,現(xiàn)代汽車集團(tuán)周二表示,計(jì)劃到2025年在移動(dòng)出行技術(shù)和戰(zhàn)略投資上投資41萬(wàn)億韓元(約合350億美元)。這家韓國(guó)最大的汽車制造商正在加速努力,以期在自動(dòng)駕駛汽車競(jìng)賽中迎頭趕上。
        • 關(guān)鍵字: 現(xiàn)代汽車  2025  自動(dòng)駕駛  

        全球TOP15半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名出爐:日企占了半壁江山

        • 近日,美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查公司VLSI Research發(fā)布了2018年全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠商的排名。
        • 關(guān)鍵字: 東京電子  VLSI Research  

        JPEG 2000標(biāo)準(zhǔn)中MQ編碼器的VLSI結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        • 引 言JPEG 2000是為了彌補(bǔ)JPEG的不足而提出的新一代靜止圖像壓縮國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其目標(biāo)是對(duì)多種類型的靜止圖像實(shí)現(xiàn)高效壓縮,并要求壓縮碼流具有較好
        • 關(guān)鍵字: JPEG  2000  VLSI  標(biāo)準(zhǔn)  

        中微在VLSIresearch客戶滿意度調(diào)查中榮登上榜

        •   中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)宣布,中微在VLSIresearch(美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)研究公司,以下簡(jiǎn)稱“VLSI”)舉辦的2018年度客戶滿意度調(diào)查(簡(jiǎn)稱“CSS”)中榮登上榜,在多項(xiàng)排名中位居前列。VLSI從1988年開始每年都會(huì)舉辦這項(xiàng)客戶滿意度調(diào)查,這是業(yè)內(nèi)唯一一項(xiàng)能讓不同地區(qū)的客戶對(duì)它們?nèi)虻陌雽?dǎo)體設(shè)備和子系統(tǒng)的供應(yīng)商進(jìn)行匿名反饋的調(diào)查。上榜企業(yè)名單中有來(lái)自美國(guó)、歐洲、亞洲和以色列的企業(yè),中微是其中唯一一家中國(guó)本土的半導(dǎo)體設(shè)備公司?! ≈形⒃谛酒圃煸O(shè)備專業(yè)型供應(yīng)商
        • 關(guān)鍵字: 中微,VLSI  

        VLSI國(guó)際會(huì)議中國(guó)僅一篇論文入選,占比1/64

        •   IBM昨天聯(lián)合三星、Globalfoundries宣布了全球首個(gè)5nm半導(dǎo)體工藝,性能提升40%,功耗降低75%。IBM這則消息就是在VLSI大規(guī)模集成電路會(huì)議上宣布的,這也是國(guó)際級(jí)的半導(dǎo)體會(huì)議。這次會(huì)議也暴露了我們?cè)诎雽?dǎo)體制造技術(shù)依然沒有什么存在感,雖然總計(jì)提交了18篇論文,但入選的只有1篇,僅占全部入選論文的1/64,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于美國(guó)、日本、歐洲、韓國(guó)、新加坡及臺(tái)灣地區(qū)。   2017年的VLSI國(guó)際會(huì)議是在日本東京舉行的,昨天正式開幕,會(huì)期8天,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)公司、科研機(jī)構(gòu)匯聚一堂討論未來(lái)技
        • 關(guān)鍵字: VLSI  工藝  

        用于混合信號(hào)VLSI的可擴(kuò)展JTAG控制器IP核設(shè)計(jì)

        • 正電子發(fā)射斷層成像系統(tǒng)(PET)前端讀出電路是數(shù)?;旌闲盘?hào)超大規(guī)模集成電路芯片.針對(duì)多通道高性能PET專用集成電路芯片的特點(diǎn),采用JTAG控制器對(duì)該芯片進(jìn)行初始控制和輔助測(cè)試.采用TSMC 0.18μmCMOS工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)可擴(kuò)展的JTAG控制器IP核,支持14組可擴(kuò)展控制信號(hào)和16個(gè)多位寄存器掃描鏈的讀/寫操作,并配備定制的底層驅(qū)動(dòng)
        • 關(guān)鍵字: VLSI  JTAG  PET成像系統(tǒng)  

        鋰離子電池管理芯片的 研究及其低功耗設(shè)計(jì) — 鋰離子電池管理芯片的電路實(shí)現(xiàn)

        • 近年來(lái),鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點(diǎn),獲得了廣泛應(yīng)用,相應(yīng)的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中,為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(zhǎng)電池的使用壽命,電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
        • 關(guān)鍵字: 混合信號(hào)電路  VLSI  RTL編碼  

        鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設(shè)計(jì) — 鋰離子電池管理芯片的功能設(shè)計(jì)及功耗優(yōu)化

        • 近年來(lái),鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點(diǎn),獲得了廣泛應(yīng)用,相應(yīng)的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中,為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(zhǎng)電池的使用壽命,電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
        • 關(guān)鍵字: 鋰離子電池管理芯片  Top-Down低功耗設(shè)計(jì)  VLSI  

        SOC設(shè)計(jì)流程及其集成開發(fā)環(huán)境

        • SOC技術(shù)是當(dāng)前大規(guī)模集成電路(VLSI)的發(fā)展趨勢(shì),也是世紀(jì)集成電路技術(shù)的主流,其為集成電路產(chǎn)業(yè)和集成電路應(yīng)用技術(shù)提供了前所未有的廣闊市場(chǎng)和難得的發(fā)展機(jī)遇。SOC為微電子應(yīng)用產(chǎn)品研究、開發(fā)和生產(chǎn)提供了新型的優(yōu)秀的技術(shù)方法和工具,也是解決電子產(chǎn)品開發(fā)中的及時(shí)上市(TTM——Time to Market)的主要技術(shù)與方法。
        • 關(guān)鍵字: SoC  集成開發(fā)環(huán)境  VLSI  嵌入式系統(tǒng)  處理器  
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