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新思科技與英特爾深化合作，以新思科技IP和經(jīng)Intel 18A工藝認(rèn)證的EDA流程加速先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)
- 摘要： 新思科技數(shù)字和模擬EDA流程經(jīng)過認(rèn)證和優(yōu)化，針對Intel 18A工藝實(shí)現(xiàn)功耗、性能和面積目標(biāo)； 新思科技廣泛的高質(zhì)量 IP組合降低集成風(fēng)險(xiǎn)并加快產(chǎn)品上市時(shí)間，為采用Intel 18A 工藝的開發(fā)者提供了競爭優(yōu)勢； 新思科技 3DIC Compiler提供了覆蓋架構(gòu)探索到簽收的統(tǒng)一平臺，可實(shí)現(xiàn)采用Intel 18A和 EMIB技術(shù)的多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)。加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月4日 – 新思科技（Synopsys, I
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是德科技與Intel Foundry強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，成功驗(yàn)證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件
- ●? ?設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在可以使用 RFPro 對 Intel 18A 半導(dǎo)體工藝技術(shù)中的電路進(jìn)行電磁仿真●? ?RFPro 能夠?qū)o源器件及其在電路中的影響展開電磁分析，為一次性打造成功的射頻集成電路設(shè)計(jì)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)是德科技與Intel Foundry強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，成功驗(yàn)證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件是德科技近日宣布，RFPro電磁（EM）仿真軟件作為是德科技 EDA 先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）綜合工具套件中的一員，現(xiàn)已通過 Intel Foundry 認(rèn)證，
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英特爾Intel 18A向韓國IC設(shè)計(jì)業(yè)者招手，爭取晶圓代工商機(jī)
- 根據(jù)韓國媒體TheElec的報(bào)導(dǎo)，英特爾執(zhí)行長Pat Gelsinger去年會見韓國IC設(shè)計(jì)公司高層，并介紹英特爾芯片代工業(yè)務(wù)的最新發(fā)展。英特爾目標(biāo)是大力向韓國IC設(shè)計(jì)公司銷售晶圓代工服務(wù)，以爭取商機(jī)。上周，英特爾首屆晶圓代工服務(wù)大會宣布，四年五節(jié)點(diǎn)計(jì)劃后，推出Intel 14A制程，芯片2027年量產(chǎn)。迄今晶圓代工業(yè)務(wù)已獲150億美元訂單，到2030年將成為全球第二大代工廠，目標(biāo)是超越排名第二的三星，僅次市場龍頭臺積電。韓國媒體報(bào)導(dǎo)，三星晶圓代工重點(diǎn)在爭取國際大廠訂單，所以韓國IC設(shè)計(jì)公司幾乎很難拿到三
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英特爾代工服務(wù)獲得1.8 納米Arm芯片訂單
- 到目前為止，英特爾代工服務(wù)已經(jīng)獲得了多個數(shù)據(jù)中心芯片訂單。
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魏哲家：2納米技壓對手18A
- 臺積電19日法說會，市場關(guān)注前瞻技術(shù)競爭實(shí)力。臺積電總裁魏哲家強(qiáng)調(diào)，2納米進(jìn)度樂觀，維持2025年進(jìn)入量產(chǎn)步調(diào)；3納米家族持續(xù)進(jìn)步，N3E通過認(rèn)證已達(dá)良率目標(biāo)。他更透露N3P經(jīng)內(nèi)部評估，整體功耗表現(xiàn)足以與競爭對手18A（2納米以下制程）匹敵，甚至享有更好的技術(shù)成熟度與成本優(yōu)勢，因此可以肯定，2納米（with backside power rail）也將優(yōu)于競爭對手。魏哲家補(bǔ)充，HPC、智能型手機(jī)客戶對2納米抱持高度興趣，預(yù)計(jì)2025年上半年便能供貨給客戶，并于2026年進(jìn)入量產(chǎn)；他分析，AI需求著重提升能
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郭明錤：Arm 有望成為英特爾 18A 制程代工客戶，生產(chǎn)其自家芯片
- 9 月 10 日消息，英特爾此前曾宣布與 Arm 建立合作關(guān)系，在 Intel 18A 制程上優(yōu)化 Arm IP，進(jìn)一步降低采用 Arm IP 的客戶采用 Intel 18A 的成本與風(fēng)險(xiǎn)。郭明錤最新的調(diào)查顯示，Arm 和 Intel 之間的合作不僅限于先進(jìn)的制程優(yōu)化。Arm 很可能成為 Intel 18A 客戶，這意味著 Intel 將使用 18A 生產(chǎn) ARM 自家芯片。當(dāng)然，由于沒有基帶 IP，而且考慮到現(xiàn)有智能手機(jī)客戶（如蘋果、高通等），Arm 芯片大概率不會涉及手機(jī)方面。郭明錤認(rèn)為，如果 Arm
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聯(lián)發(fā)科或?qū)⒊蔀镮ntel首個18A工藝客戶
- 近年來，Intel制定了4年掌握5代制程技術(shù)的IDM 2.0戰(zhàn)略，決心在2025年重回半導(dǎo)體領(lǐng)先地位。在IDM 2.0戰(zhàn)略中，IFS芯片代工業(yè)務(wù)的重要性與x86芯片生產(chǎn)相當(dāng)，為了推動IFS芯片代工業(yè)務(wù)的發(fā)展，Intel對該部分業(yè)務(wù)進(jìn)行了獨(dú)立核算并積極爭取客戶。其中，備受關(guān)注的18A工藝是其重現(xiàn)輝煌的關(guān)鍵，Intel表示18A工藝不僅在技術(shù)水平上超過了臺積電、三星等公司的2nm工藝，而且在進(jìn)度上也領(lǐng)先于它們。據(jù)悉，Intel正全力以赴地推進(jìn)內(nèi)部和外部測試18A工藝芯片，有望在2024年下半年實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒
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Vishay推出反向恢復(fù)性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平的FRED Pt第五代600V Hyperfast恢復(fù)整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt? 第五代600 V Hyperfast恢復(fù)整流器---12?A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3?和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復(fù)性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，提高中頻逆變器和軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。Vishay Semiconductors日前
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Vishay推出新款FRED Pt第五代Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器，大幅降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出15款采用SOT-227小型封裝的新型FRED Pt? 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Vishay Semiconductors整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到先進(jìn)水平，提高高頻逆變器和軟開關(guān)或諧振電路的效率。日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速IGBT配合使用，適用于PFC、電動（EV）/ 混合動力汽車（HEV）電池充電站輸出整流級、太陽能逆變器增壓級和UPS。這些應(yīng)用環(huán)境
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Vishay推出新款FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年4月17日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到最佳水平，提高高頻逆變器和軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。?日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速IGBT配合使用，專門用于提高PFC、EV/HEV 電池充電站輸出整流級、太陽能逆變器增壓級
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