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        X-Fab增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

        • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號(hào)和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE(X-Fab)日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造平臺(tái)的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示,該平臺(tái)現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件,可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)(安全工作區(qū))以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低,與此前版本相比降低
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        X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

        • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái),增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA,提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比,此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%,為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案,基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊,支持-40°C
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        微捷碼加大對(duì)臺(tái)積電工藝的支持力度

        •   芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布,Quartz™ DRC和Quartz LVS規(guī)則集現(xiàn)可應(yīng)用于臺(tái)積電(TSMC)180納米工藝技術(shù)。通過這種支持力度的加大,設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠從TSMC-Online(SM)網(wǎng)站下載到Quartz DRC和Quartz LVS的40納米、65納米、90納米、130納米和180納米規(guī)則集(rule decks)。   “多年來,我們一直采用微捷碼的Quartz DRC和Quartz LVS進(jìn)行先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)。我們
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        180納米介紹

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