- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數據釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
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RRAM DRAM
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業(yè)開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM NAND
- 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產方面的資本支出預算提到1.5倍，提高至260億美元。
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三星 DRAM
- 最近一個多月的時間內，尤其是雙11之后，內存價格開始普遍下滑，而且幅度相當夸張，最高甚至接近30%。
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內存 DRAM
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續(xù)吃緊。
韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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三星 DRAM
- 明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應將持續(xù)吃緊。
韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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三星 DRAM
- 存儲器行業(yè)正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導體芯片價格上漲，導致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀錄的利潤!
存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計算(主要是服務器)市場。平均而言，每部智能手機的DRAM內存容量將增長三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加
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存儲器 DRAM
- 紫光國芯日前在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業(yè)代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產能不好保證
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紫光國芯 DRAM
- 中國廠商在國際市場上已經引起三星與海力士的警惕，而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進行著試探。
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DRAM 紫光
- 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業(yè)代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產
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紫光 DRAM
- 在此輪內存漲價行情中，由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度，導致在內存流通環(huán)節(jié)甚至出現了價格倒掛的現象。
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內存 DRAM
- 近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數家機構調研時表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導致業(yè)績下降。目前第四季度經營好于預期，對全年業(yè)績估計相對樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預計，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實現營業(yè)收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
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紫光國芯 DRAM
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，在北美數據中心的需求持續(xù)強勁，以及DRAM供給端產能與制程受限制下，并不能滿足整體服務器內存市場需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。
DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進入第四季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
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SK海力士 DRAM
- 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產量陸續(xù)在2019年產出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調壓力。
調研機構研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產計劃，都為未來DRAM市場投下新變數，明年DRAM產值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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存儲器 DRAM
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