計(jì)算MOSFET非線性電容

• 　　最初為高壓器件開發(fā)的超級(jí)結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴(kuò)展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲(chǔ)存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計(jì)算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜。　　MOSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量，其中有的需要在這個(gè)過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊(cè)最終測量給出的三個(gè)值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
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