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        歐洲重啟存儲芯片生產(chǎn):德國鐵電FMC押注新非易失性內(nèi)存技術(shù)FeRAM

        • 4 月 8 日消息,德國鐵電存儲器公司(FMC)宣布與半導(dǎo)體企業(yè) Neumonda 達(dá)成戰(zhàn)略合作,將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片(FeRAM)生產(chǎn)線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達(dá)德國DRAM 工廠破產(chǎn)關(guān)停后,歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)?!?圖源:Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物(HfO?)作為鐵電層,替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料,存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-
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        非易失性內(nèi)存介紹

          非易失性內(nèi)存   NVM: non-volatile memory   也稱作:非易失性存儲器。   PCM(PRAM): Phase-change Random Access memory,相變存儲器。   非易失性內(nèi)存的一種,利用存儲單元的可逆的相變來存儲信息??刹翆懙腃D/DVD一直在用這種技術(shù)。目前主流技術(shù)是采用硫族元素(元素周期表上“氧”那一列)做的合金,一般采用的是鍺、銻、 [ 查看詳細(xì) ]

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