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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 非對稱可控硅

非對稱可控硅文章進入非對稱可控硅技術(shù)社區(qū)

一種非對稱雙向可控硅靜電防護器件的設計*

非對稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環(huán)結(jié)構(gòu)之后，為使I-V特性曲線對稱而設計的非對稱結(jié)構(gòu)，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
關(guān)鍵字： 202107 非對稱可控硅維持電壓 ESD 閂鎖效應

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非對稱可控硅介紹

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