集成驅(qū)動器 文章 進(jìn)入集成驅(qū)動器技術(shù)社區(qū)
通過集成驅(qū)動器和高級保護(hù)功能簡化GaN電源設(shè)計
- 高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計電源時的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競爭對手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅(qū)動和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設(shè)計的有效選擇。采用此封
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英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列，包括帶有集成驅(qū)動器的集成單開關(guān)和半橋
- 消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發(fā)展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設(shè)計，同時還需采用非常規(guī)?PCB設(shè)計，此類設(shè)計面臨嚴(yán)格的空間限制，從而限制了外部元件的使用。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN??Drive產(chǎn)品系列，進(jìn)一步豐富了其氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5?單開關(guān)（集成了一個晶體管和柵極驅(qū)動器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8?封裝）和CoolGa
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超小型 LED 集成驅(qū)動器
- ZD3315 集成塊的面積只有 2mmx3ram ，自帶散熱面，司借助印板銅箔散熱，可驅(qū)動四路 LED ，適合在高密度安裝的場合使用。該集成電路不需要外接電感線圈，只需外接一個電阻和一個電容就足夠了，流過 LED 的電流和 LED 的點(diǎn)亮可以由外部控制。附圖是其基本應(yīng)用電路。 驅(qū)動電壓為 4 ． 5 ～ 16V(Vin 的電壓 ) ，每一路可以驅(qū)動 1 ～ 4 個正向?qū)妷簽?VF=3 ． 5V 的白色 LED 。如果希望每一路能驅(qū)動 5 個以上的白色 LED 的話，除了要增加電源電壓
- 關(guān)鍵字： LED 集成驅(qū)動器
瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
- 關(guān)鍵字： DrMOS MOSFET 單片機(jī) 電源技術(shù) 集成驅(qū)動器 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
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集成驅(qū)動器介紹
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