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一種超低功耗、容錯的靜態(tài)隨機(jī)存儲器設(shè)計

摘要：為了減輕輻射環(huán)境中靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)受單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)的影響以及解決低功耗和穩(wěn)定性的問題，采用TSMC 90 nm工藝，設(shè)計了一款可應(yīng)用于輻射環(huán)境中的超低功耗容錯靜態(tài)隨機(jī)存儲器。該SRAM基于雙互鎖存儲單元(
關(guān)鍵字：超低功耗容錯隨機(jī)存

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