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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 防掉電

        基于FPGA的F-RAM防掉電設計

        • 摘要 在復雜實驗條件下,需采用非易失性鐵電存儲器記錄重要數(shù)據(jù)。為防止二次上電時實驗數(shù)據(jù)被覆蓋,需設計防掉電功能。文中介紹了一種F-RAM的防棹電設計思路,并基于現(xiàn)場可編程門陣列實現(xiàn),板級驗證工作正常,并已
        • 關(guān)鍵字: 非易失鐵電存儲器  防掉電  現(xiàn)場可編程門陣列  
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        防掉電介紹

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