閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
Nand Flash合約價(jià)大漲 模塊廠樂透
- 集邦科技最新報(bào)告指出，伴隨需求持穩(wěn)放大，加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡，NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報(bào)價(jià)，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認(rèn)為，依照當(dāng)前掌握數(shù)據(jù)觀察，整體NAND Flash需求將在第三季超過供給，下半年NAND Flash將供不應(yīng)求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。 模塊廠勁永指出，F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌，因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響，五月份下旬價(jià)格才開始緩步
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全球NAND Flash供貨將拉警報(bào)
- NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報(bào)，造成供貨嚴(yán)重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強(qiáng)化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進(jìn)至50nm主流制程，加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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美光對NAND Flash發(fā)布警告
- 全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示，目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當(dāng)快速且先進(jìn)，但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設(shè)備商技術(shù)竟遠(yuǎn)落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商，自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。 近來全球各大DRAM廠為能有效運(yùn)用旗下晶圓廠，加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅
- 根據(jù)國外媒體報(bào)導(dǎo)， NAND閃存市場上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準(zhǔn)備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個(gè)領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭，也在準(zhǔn)備因應(yīng)市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機(jī)。NAND業(yè)者最近動(dòng)作頻仍，市場領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，變化相當(dāng)快速，原本第一季度頭號存儲(chǔ)卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價(jià)格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲(chǔ)卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時(shí)期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價(jià)格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財(cái)報(bào)出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會(huì)抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則 需求對降價(jià)呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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Spansion在2006年手機(jī)閃存市場中占據(jù)領(lǐng)先地位
- iSuppli稱，手機(jī)市場銷量的強(qiáng)勁上揚(yáng)推動(dòng)NOR閃存供應(yīng)商Spansion在2006年全球無線手機(jī)閃存市場中據(jù)于領(lǐng)先地位，并提升了其在全球閃存市場的排名。 2006年Spansion面向手機(jī)市場的NOR型閃存銷量增加到18億美元，較2005年的14億美元提高了35%。增長幅度是全球手機(jī)閃存市場增幅（2006年達(dá)到61億美元，較2005年的52億上升了16.4%）的兩倍以上。 2006年，Spansion的市場份額增加到29.9%，較2005年的25.8%有所上升。從而使Spansion在全球閃存市場排名
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華邦推出業(yè)界首顆四通道SPI串行閃存器件
- 華邦電子有限公司日前正式宣布推出業(yè)界首顆四通道SPI串行閃存器件。容量為16Mbit的W25Q16SpiFlash是第一顆屬于W25Q系列的產(chǎn)品，這一系列將提供單/雙/四通道SPI輸入輸出格式，使用成本低廉的8引腳封裝，容量為8Mbit到64Mbit。 在推出W25Q系列產(chǎn)品之前，串行閃存器件通常用于存儲(chǔ)非易失性代碼，系統(tǒng)通電后，代碼將從閃存器件下載到SDRAM中，這一過程稱為代碼映射(code-shadowing)?，F(xiàn)在，微處理器可以通過使用高
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三星調(diào)高閃存價(jià)格 帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上升
- 業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價(jià)格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報(bào)價(jià)。 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價(jià)格造成的影響。來自內(nèi)存模具廠的消息稱三星對MLC結(jié)構(gòu)的8GB、16GB和32GB
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嵌入式系統(tǒng)中閃存設(shè)備IO軟件的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1、引言 隨著嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，系統(tǒng)復(fù)雜性也在不斷提高。閃存作為廣泛使用的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備，其管理技術(shù)和訪問方式經(jīng)歷了一個(gè)由開發(fā)員直接控制到由操作系統(tǒng)的I/O軟件間接控制的過程。然而目前現(xiàn)有的這些閃存管理方案都不能提供一種方便、統(tǒng)一且移植性好的I/O軟件接口，增加了嵌入式產(chǎn)品的研發(fā)周期。因此，本文旨在針對一般的嵌入式應(yīng)用，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)一種更合理的閃存I/O軟件。該軟
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Spansion成立安全及高級技術(shù)事業(yè)部
- 北京，2007年8月2日-全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布任命行業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的Carla Golla為新成立的安全及高級技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁。Golla女士直接匯報(bào)給CEO辦公室，她負(fù)責(zé)推動(dòng)Spansion安全存儲(chǔ)解決方案的制定和部署，包括公司的MirrorBit® HD-SIM™產(chǎn)品系列。此外，她還負(fù)責(zé)制定公司的高級技術(shù)戰(zhàn)略，利用與臺積電的合作，拓展MirrorBit在40nm及更先進(jìn)制程下的發(fā)展。 Spansion總
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Spansion NOR閃存在MediaTek設(shè)計(jì)平臺上完成預(yù)先驗(yàn)證
- Spansion宣布，其MirrorBit NOR閃存已完成在mediaTek主流手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺上的預(yù)先驗(yàn)證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司之一。在MediaTek參考設(shè)計(jì)平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗(yàn)證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C(jī)更快地推向中國及其它高速增長市場。 &
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NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢
- 隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場中退出。 今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價(jià)格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因?yàn)椴⒎撬械膬?nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。 現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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NEC電子推出7款雙列直插封裝 8位全閃存產(chǎn)品
- 為滿足中國白色家電市場的需求，NEC電子近日完成了7款雙列直插封裝(SDIP) 8位全閃存產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始提供樣品。 此次推出的7款新產(chǎn)品均為16-32個(gè)引腳的“少引腳”8位微控制器產(chǎn)品，封裝形式均為雙列直插封裝(SDIP)。雙列直插封裝與近幾年一直占據(jù)主流地位的表面貼裝型封裝相比，更易于封裝，可降低生產(chǎn)成本。該7款產(chǎn)品均為全閃存產(chǎn)品，因此有利于客戶縮短整機(jī)的開發(fā)周期，便于客戶更靈活的安排生產(chǎn)計(jì)劃。 新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因存儲(chǔ)器的容量及引腳數(shù)的不同而有所差異，其中集成了4kb閃存的
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存電路
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