閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

亞馬遜收購(gòu)云存儲(chǔ)廠(chǎng)商E8 要用閃存“讓數(shù)據(jù)飛起來(lái)”

亞馬遜日前收購(gòu)了一家以色列云存儲(chǔ)相關(guān)企業(yè)（名為“E8存儲(chǔ)公司”），獲得一些資產(chǎn)和員工。E8是一家小型云計(jì)算初創(chuàng)企業(yè)，為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件。
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閃存內(nèi)存跌價(jià) 三星海力士利潤(rùn)暴跌：拖累韓國(guó)經(jīng)濟(jì)了

本月初日本宣布管制對(duì)韓國(guó)的材料出口，目前被限制的材料主要是光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種，主要用于柔性屏面板及半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)。
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西數(shù)全閃存存儲(chǔ)陣列：400TB只是入門(mén) 2500TB很輕松

作為傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)巨頭，西部數(shù)據(jù)在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域也已經(jīng)逐漸走在世界前列，尤其是在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。今天，西數(shù)又發(fā)布了入門(mén)級(jí)的NVMe全閃存存儲(chǔ)陣列系統(tǒng)“IntelliFlash N5100”。
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閃存市場(chǎng)遭遇意外，傳SSD廠(chǎng)商限量供貨、漲價(jià)15%

??? 從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠(chǎng)商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。??? 關(guān)于NAND閃存的走勢(shì)，今年前兩個(gè)季度還是跌的，但是Q3季度就變得撲朔迷離了，除了旺季需求及產(chǎn)能削減兩大因素之外，最近還有兩起意外事件也引發(fā)了閃存市場(chǎng)動(dòng)蕩，而且都跟日本有關(guān)。??? 首先是東芝位于日本四日市的5座NA
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武漢全力保障國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè) 國(guó)產(chǎn)閃存發(fā)展提速

去年中國(guó)進(jìn)口的3000多億美元的半導(dǎo)體芯片中，存儲(chǔ)芯片就占了三分之一左右，價(jià)值上千億美元的芯片基本上沒(méi)有國(guó)產(chǎn)的份兒，國(guó)內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)存在被卡脖子的可能性，所以發(fā)展國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)是刻不容緩的大事了。
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紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱(chēng)，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。
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美光：3D QLC閃存出貨量猛增75％

SLC、MLC、TLC、QLC……不同閃存規(guī)格一路走下來(lái)，雖然容量越來(lái)越大，但是性能、壽命、可靠性卻是越來(lái)越弱，只能通過(guò)其他方式彌補(bǔ)。就像之前很多人抗拒TLC一樣，現(xiàn)在依然有很多人不接受QLC，但大勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)。
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東芝閃存工廠(chǎng)停電13分鐘 6000000TB硬盤(pán)沒(méi)了

東芝的5座NADN閃存工廠(chǎng)于當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月15日下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故，停電過(guò)程非常短，13分鐘之后就恢復(fù)供電了，有部分工廠(chǎng)恢復(fù)生產(chǎn)了，但Fab 2、Fab 3及Fab 4晶圓廠(chǎng)并沒(méi)有復(fù)工。
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國(guó)產(chǎn)90nm閃存量產(chǎn)：10萬(wàn)次壽命 25年數(shù)據(jù)保存

中國(guó)每年進(jìn)口價(jià)值1000億美元的存儲(chǔ)芯片，NAND閃存及DRAM內(nèi)存都要依賴(lài)進(jìn)口，目前國(guó)產(chǎn)閃存芯片的希望就是紫光集團(tuán)在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲(chǔ)器基地了，不過(guò)真正規(guī)模量產(chǎn)還需要一年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。
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紫光2000億投資四川成都建3D閃存工廠(chǎng)：月產(chǎn)能將達(dá)30萬(wàn)片

2018年中國(guó)進(jìn)口了3000多億美元的半導(dǎo)體芯片，其中存儲(chǔ)芯片占據(jù)了1/3也就是上千億美元，而且這部分芯片的國(guó)產(chǎn)率為0，國(guó)內(nèi)尚無(wú)公司能夠大規(guī)模量產(chǎn)閃存及內(nèi)存芯片。在閃存芯片上，紫光集團(tuán)位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年將研發(fā)128層堆棧的3D閃存。
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華為舉辦首屆閃存技術(shù)論壇，發(fā)布閃存創(chuàng)新理念

華為在北京舉辦了主題為“探討閃存未來(lái)發(fā)展之道，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)共贏(yíng)”首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應(yīng)用感知的存儲(chǔ)創(chuàng)新理念和未來(lái)SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計(jì)算提出希望與廣大客戶(hù)、合作伙伴、Flash廠(chǎng)家、標(biāo)準(zhǔn)組織、高校、媒體等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的上下游共聚，共同探討并引領(lǐng)閃存技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，持續(xù)提升應(yīng)用性能，滿(mǎn)足用戶(hù)需求。　　目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著翻天覆地的變化，隨著閃存新技術(shù)的發(fā)展與廣泛應(yīng)用，閃存行業(yè)正面臨著新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)! 本次會(huì)議重點(diǎn)展現(xiàn)了自研SSD閃存技術(shù)和應(yīng)用研究，并借本次技術(shù)論壇活動(dòng)，為行業(yè)提供一個(gè)技術(shù)生
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要買(mǎi)的抓緊了內(nèi)存閃存年底可能要減產(chǎn)漲價(jià)

中關(guān)村在線(xiàn)消息：這近兩年以來(lái)的內(nèi)存和閃存價(jià)格都在下跌，做為我們消費(fèi)者自然是再高興不過(guò)了，但像美光這樣的廠(chǎng)商都有點(diǎn)扛不住了。據(jù)美光發(fā)布的最新季度財(cái)報(bào)，這家公司的營(yíng)收下滑了40%，凈利潤(rùn)更是暴跌78%，而其主要原因正是內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)格的下跌。對(duì)此，美光計(jì)劃在2020財(cái)年（也就是大約今年四季度）開(kāi)始縮減資本支出，以減少內(nèi)存閃存的產(chǎn)能，希望借此改變市場(chǎng)供需關(guān)系。這就意味著，從今年四季度開(kāi)始，內(nèi)存閃存的價(jià)格可能會(huì)有所上漲，反映到消費(fèi)市場(chǎng)自然就是我們買(mǎi)起來(lái)會(huì)貴了。所以如果有購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存閃存計(jì)劃的網(wǎng)友們，可以考慮提前準(zhǔn)備。
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想買(mǎi)SSD的現(xiàn)在該出手了 NAND報(bào)價(jià)預(yù)計(jì)將在Q2至Q3間止跌

NAND閃存的價(jià)格一跌再跌，2019年第一季度TLC閃存的晶圓合約價(jià)下跌了19~28%，eMMC/UFS類(lèi)閃存合約價(jià)下跌了15~20%，消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格跌了17~31%，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)跌了26~32%。即使現(xiàn)在SSD的價(jià)格已經(jīng)白菜價(jià)，但是也有人在想等它再跌些再買(mǎi)，那么或許現(xiàn)在該出手了。因?yàn)閾?jù)行業(yè)人士預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)NAND報(bào)價(jià)將在Q2至Q3間止跌。
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閃存價(jià)格暴跌四分之一東芝閃存部門(mén)Q1虧損2億美元

截至今年Q2季度，NAND閃存始于2018年Q1季度的降價(jià)已經(jīng)持續(xù)了6個(gè)季度，此舉導(dǎo)致NAND閃存均價(jià)大幅下滑，消費(fèi)者買(mǎi)大容量手機(jī)、SSD硬盤(pán)倒是便宜了很多，只不過(guò)上游的NAND供應(yīng)商業(yè)績(jī)就難看多了。
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Intel：NAND閃存不再新建廠(chǎng) 傲騰轉(zhuǎn)向中國(guó)生產(chǎn)

NAND閃存持續(xù)供過(guò)于求，價(jià)格不斷走低，消費(fèi)者們很高興，廠(chǎng)商們很不爽，Intel就在近日的投資者大會(huì)上披露，可預(yù)期的未來(lái)內(nèi)也不會(huì)再建設(shè)新的閃存工廠(chǎng)。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]