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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 遷移率

遷移率文章進入遷移率技術(shù)社區(qū)

載流子遷移率測量方法總結(jié)

遷移率是衡量半導體導電性能的重要參數(shù)，它決定半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。已有很多文章對載流子遷移率的重要性進行研究，但對其測量方法卻少有提到。本文對載流子測量方法進行了小結(jié)。
關(guān)鍵字：半導體材料遷移率

共1條 1/1 1

遷移率介紹

遷移率在電場作用下，半導體中的載流子作定向漂移運動,由此形成的電流稱為漂移電流。在電場強度不太大時，電子和空穴移動的速度（也稱漂移速度）vn、vp與電場強度E成正比，可表示為 vn=－mnE 或vp=mpE 式中，mn為電子遷移率；mp為空穴遷移率。遷移率m是單位電場強度引起的載流子的平均漂移速度，其數(shù)值與半導體的材料、摻雜濃度、溫度等有關(guān)。在室溫300K時，硅材料的mn =0.13 [ 查看詳細 ]

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