我國科學家率先研制出24T全超導磁體

• 　　日前，記者從中科院電工研究所獲悉，該所王秋良研究組采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，將YBCO內(nèi)插磁體在15T超導背場下的中心磁場提高到了24@4.2K，使得我國成為繼美國、日本、韓國之后實現(xiàn)24T全超導磁體的國家。 　　與Bi2223內(nèi)插超導磁體相比，YBCO超導磁體具有更高的上臨界磁場和臨界電流，運行穩(wěn)定性更高，更易獲取極高磁場。目前僅有美國國家高場實驗室、日本東北大學高場實驗室以及韓國的一家超導公司能夠?qū)崿F(xiàn)24T以上全超導磁體。 　　王秋良研究組采用YBCO帶材研制高場內(nèi)插磁體。研究人員采用分
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