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        超共源共柵簡史

        • 盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成,但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而,使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史,并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設計。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (E
        • 關鍵字: Qorvo  超共源共柵  
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        超共源共柵介紹

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