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能改善導(dǎo)通電阻達(dá)50%
能改善導(dǎo)通電阻達(dá)50% 文章 進(jìn)入能改善導(dǎo)通電阻達(dá)50%技術(shù)社區(qū)
IR推出工業(yè)用認(rèn)證之MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動(dòng)態(tài)ORing及包括高功率DC馬達(dá)、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)工具等工業(yè)應(yīng)用。 新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達(dá)50%，無(wú)需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外，低RDS (on) 可降
- 關(guān)鍵字： 能改善導(dǎo)通電阻達(dá)50% 減低整體系統(tǒng)成本
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能改善導(dǎo)通電阻達(dá)50%介紹
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