前有埋伏、后有追兵，三星電子3D NAND flash的霸主寶座即將拱手讓人?據(jù)了解，美光(Micron)和英特爾(Intel)聯(lián)手研發(fā)3D NAND進展神速，可能今年底就會一腳踢開三星，登上王座。
韓媒BusinessKorea 1日報道，TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)報告稱，美光和英特爾的新加坡合資工廠，今年第一季已經(jīng)開始量產3D NAND flash，目前每月產量為3,000片，預料年內可拉升至每月4萬片。
與此同時，英特爾大連
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Intel 美光
美光科技有限公司今天推出了美光 1100 SATA 和美光 2100 PCIe NVMe 這兩個全新的固態(tài)硬盤 (SSD) 產品系列，旨在解決從網(wǎng)絡瀏覽和電子郵件到視頻編輯和 Auto CAD 設計等的客戶端計算工作負載。消費者們一直期待能夠即時交付數(shù)據(jù)，他們不愿再花時間等待計算機啟動，也不愿等待照片、視頻或大型存儲文件的長時間傳輸過程。憑借閃存存儲實現(xiàn)的瞬時加載速度，等待數(shù)據(jù)的漫長過程已成為旋轉硬盤時代的陳年往事;而美光科技最新推出的 3D NAND SSD 系列將消費者的這一期望變成了現(xiàn)實。
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美光 固態(tài)硬盤
美光在臺北國際電腦展上正式發(fā)表兩款3D NAND SSD產品，Micron 1100 SATA與2100 PCIe NVMe，其中Micron 1100 SATA預計將在7月開始生產，而2100 PCIe NVMe將在今年夏季末開始生產。
今年初宣布旗下的SSD(固態(tài)硬碟)將開始采用3D NAND快閃記憶體后，美光(Micron)在今年臺北國際電腦展(Computex Taipei 2016)發(fā)表了3D NAND固態(tài)硬碟產品，包括Micron 1100 SATA與2100 PCIe NVMe，最
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美光 固態(tài)硬盤
半導體設備業(yè)龍頭廠商應用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預估值擊敗分析師預估，帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費城半導體指數(shù)成分股30支成分股之冠，收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來收盤新高。
美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創(chuàng)4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導，應材在財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉到NAND型快閃記憶體
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美光 DRAM
美光科技有限公司今天推出了美光加速解決方案，這是一套專為開源和軟件定義的數(shù)據(jù)中心量身定制且可橫向擴展的解決方案。美光科技與企業(yè)級軟件和硬件公司(包括 VMware、Supermicro 和 Nexenta)密切合作，設計并開發(fā)了第一套美光加速解決方案?！ 〕诵济拦饧铀俳鉀Q方案問世，美光科技還宣布位于奧斯汀的美光存儲解決方案中心 (MSSC) 成立。MSSC 不僅是美光存儲的創(chuàng)新樞紐，還是美光加速解決方案的設計之家。在 MSSC&
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美光 MSSC
美光科技有限公司今天宣布推出利用高性能 NVMe 協(xié)議的全新 PCIe 固態(tài)硬盤 (SSD) 產品組合。新的美光 9100 和 7100 PCIe SSD 可為數(shù)據(jù)中心客戶提供量身定制的存儲產品，幫助他們實施靈活且可橫向擴展的 IT 基礎設施。這些新硬盤的推出擴展了美光科技種類豐富的 SATA 和 SAS SSD
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美光 SSD
公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議，核準美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權，向該會申報事業(yè)結合乙案，依公平交易法第13條第1項規(guī)定，不禁止其結合。
公平會表示，本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結合型態(tài)，又美商美光于相關市場之市占率達25%，符合公平法第11條第1項第2款規(guī)定之申報門檻，且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形，故依法提出結合申報。
公平會表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠，其所生產之DRAM全數(shù)售予美光，故華亞科
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DRAM 美光
目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調公司IHS指，韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢?
三星已在技術方面遙遙領先
據(jù)DRAMeXchange的報告，受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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DRAM 美光
受來自PC部門需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會計年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會計年度第1季營收45.7億美元相對高點以來，單季營收連續(xù)5季衰退。
在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數(shù)百分點幅度，加上營業(yè)費用控制成效不佳，營業(yè)
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美光 DRAM
美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報，每股凈損0.09美元，單季由盈轉虧，并預估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認為，美光連二季虧損，與該公司關系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。
受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬美元，每股凈損0.09美元。
美光預期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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美光 DRAM
28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠正式動工，建成后將成為中國最大、最先進的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領域，起點不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司，一時間中國半導體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內不會在大陸建立晶圓廠。
中國在半導體領域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標轉向
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三星 美光 DRAM
美光今天宣布，已經(jīng)開始為客戶試產新一代GDDR5X顯存。GDDR5X是美光提出來的一種基于GDDR5的增強型閃存技術，已經(jīng)被JEDEC采納為國際通用技術標準，AMD、NVIDIA的下一代中高端顯卡都將配備。雖然說HBM顯存技術更先進、帶寬更高，AMD、NVIDIA頂級旗艦卡都會用，但是其成本目前偏高，暫時還無法普及。
GDDR5X通過簡單的技術改進，尤其是把數(shù)據(jù)預取位寬翻番為16-bit，就得到了更高的帶寬，初期即可達10-12Gbps，后期能提升至14-16Gbps，那么搭配256-bit位寬
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美光 GDDR5X
除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產過程良率不佳的問題，制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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NAND 美光
3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術，以垂直方式堆疊32層的儲存單元，號稱是全球密度最高的快閃記憶體，容量可達到其他NAND記憶體的3倍，并具有快速讀寫效能，帶來更便宜每GB成本及省電特性。
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根據(jù)外電報導，半導體業(yè)者美光(Micron)于上周舉行的分析師會議中透露，今年下半年出貨的固態(tài)硬碟(Solid State Drive，SSD)中，大部份都將是基于3D NAND技術的產品。
3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術，
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美光 SSD
存儲芯片在新一代信息技術產業(yè)中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場，我國發(fā)展存儲芯片產業(yè)關乎國家安全，意義重大。
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美光 DRAM
美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網(wǎng)絡、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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