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紫光國(guó)微2019年度業(yè)績(jī)快報(bào)：營(yíng)業(yè)收入和凈利潤(rùn)均創(chuàng)歷史新高

近日，紫光國(guó)微發(fā)布《2019年度業(yè)績(jī)快報(bào)》，公司2019年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入34.35億元，同比增長(zhǎng)39.72%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)、歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)分別為4.61億元、4.05億元，同比增長(zhǎng)23.54%、16.29%；扣非后歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為3.90億元，同比增長(zhǎng)99.70%。公司財(cái)務(wù)狀況良好，截止2019年末，總資產(chǎn)67.83億元，歸屬于上市公司股東的所有者權(quán)益41.87億元，比年初分別增長(zhǎng)18.46%、10.36%，資產(chǎn)負(fù)債率為38.20%。
關(guān)鍵字：紫光國(guó)微營(yíng)業(yè)收入財(cái)務(wù)

近日，廣州聯(lián)通攜手紫光國(guó)微宣布5G超級(jí)SIM卡正式上市，標(biāo)志著這一劃時(shí)代產(chǎn)品正式開啟大規(guī)模商用，萬(wàn)物智連的5G“大”時(shí)代又更近了一步。
關(guān)鍵字： 5G SIM卡紫光國(guó)微

2019年是5G商用元年，無(wú)錫電信加快布局5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，確立了5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)和應(yīng)用創(chuàng)新融合推進(jìn)的策略，為5G發(fā)展創(chuàng)造良好環(huán)境。就在10月31日，無(wú)錫電信已正式開啟5G商用服務(wù)。展望未來，無(wú)錫電信將攜手紫光國(guó)微及產(chǎn)業(yè)鏈各合作伙伴，借助5G超級(jí)SIM卡的無(wú)限潛力，積極創(chuàng)新探索，共同打造更廣泛、更全面、更智能的5G產(chǎn)業(yè)新生態(tài)。
關(guān)鍵字：電信紫光國(guó)微 5G

日前，紫光國(guó)微發(fā)布公告稱，擬對(duì)全資子公司西藏茂業(yè)創(chuàng)芯投資有限公司（以下簡(jiǎn)稱“茂業(yè)創(chuàng)芯”）增資1億元人民幣，以助力茂業(yè)創(chuàng)芯對(duì)參股子公司深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“紫光同創(chuàng)”）增資事項(xiàng)順利實(shí)施。
關(guān)鍵字： FPGA 紫光國(guó)微紫光同創(chuàng)

今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對(duì)此，有投資者在互動(dòng)平臺(tái)上提問，這是否會(huì)對(duì)紫光國(guó)微的DDR4前景造成影響?
關(guān)鍵字：紫光國(guó)微，DRAM

　　8月23日，紫光國(guó)微發(fā)布半年報(bào)。報(bào)告顯示，2018年上半年，紫光國(guó)微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入105,310.67萬(wàn)元，較上年同期增加31.55%。實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)11,973.56萬(wàn)元，較上年同期下降了3.03%?！　∽瞎鈬?guó)微預(yù)計(jì)，2018年1-9月歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)將為2.56億至3.20億，同比增長(zhǎng)20.00%至50.00%。　　此外，紫光國(guó)微近日在中移物聯(lián)網(wǎng)“基于芯片的物聯(lián)網(wǎng)安全認(rèn)證服務(wù)平臺(tái)采購(gòu)項(xiàng)目(晶圓部分)”和“eSIM晶圓采購(gòu)項(xiàng)目”的招標(biāo)中拔得頭籌，成為中移物聯(lián)網(wǎng)安全芯片集采第一名
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) 紫光國(guó)微

　　國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。　　之前紫光國(guó)微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國(guó)微會(huì)在DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對(duì)于公司來說，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會(huì)在年內(nèi)完成設(shè)計(jì)和生產(chǎn)?！　∽瞎釪DR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個(gè)型號(hào)為“SCQ04
關(guān)鍵字：紫光國(guó)微 DDR4

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