中微公司發(fā)布新一代等離子刻蝕設(shè)備

• 　　近日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設(shè)備。 　　新設(shè)備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應(yīng)器甚高頻去耦合反應(yīng)離子介質(zhì)刻蝕機(jī)”)，可應(yīng)用于最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應(yīng)器中實(shí)現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠在工藝控制方面實(shí)現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達(dá)到更高的產(chǎn)出效率。 　　另一款，12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV3
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