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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 離子注入

        建設(shè)高端半導(dǎo)體裝備,SRII賦能新一代集成電路制造

        • 思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入(IMP)和原子層沉積(ALD)技術(shù)亮相SEMICON China 2024,持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導(dǎo)體制造裝備,廣泛賦能集成電路、第三代半導(dǎo)體等諸多高精尖領(lǐng)域。展會現(xiàn)場精彩瞬間思銳智能離子注入機(IMP)模型根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù),受芯片需求疲軟等影響,2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為1056億美元,同比下降1.9%,而中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節(jié)點技術(shù)表現(xiàn)出了強勁的需求和消費能力??v觀全局,離子注入已成為半導(dǎo)體器件制備中最主要的摻雜方法,是最基
        • 關(guān)鍵字: 高端半導(dǎo)體裝備  SRII  集成電路制造  思銳智能  SEMICON China  離子注入  IMP  原子層沉積  ALD  

        離子注入技術(shù)簡介

        • 離子注入技術(shù)介紹:把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方法。簡單地說,離子注入的過程,就是在真空系統(tǒng)中,用經(jīng)過加速的,要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在所選擇的(即被注入的)區(qū)域形成一個
        • 關(guān)鍵字: 離子注入  技術(shù)簡介    

        離子注入機失效檢測新方法

        • 隨著器件線寬和層厚的縮小,離子注入計量設(shè)備對硅片上雜質(zhì)分布均勻性進行直接監(jiān)測的能力已經(jīng)開始受到限制。同時,特征尺寸的縮小和參數(shù)性能的要求,使關(guān)鍵注入?yún)?shù)的工藝窗口不斷變窄,而離子束電流和硅片尺寸卻在不
        • 關(guān)鍵字: 離子注入  方法  失效檢測    

        離子注入技術(shù)原理

        • 離子注入技術(shù)原理離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面,當(dāng)離子進入表面,將與固體中 ...
        • 關(guān)鍵字: 離子注入  技術(shù)原理  

        離子注入設(shè)備和方法

        • 離子注入設(shè)備和方法最簡單的離子注入機(圖2)應(yīng)包括一個產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。當(dāng) ...
        • 關(guān)鍵字: 離子注入  設(shè)備  方法  
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        離子注入介紹

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