工業(yè)領(lǐng)域的磁耦驅(qū)動(dòng)新技術(shù)

• 近兩年來(lái)，碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)進(jìn)入應(yīng)用領(lǐng)域。SIC半導(dǎo)體具有寬禁帶，高擊穿電場(chǎng)，高飽和漂移速度和高熱導(dǎo)率的優(yōu)異特性正在推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域?qū)β试O(shè)備在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率設(shè)備中感性元件以及容性原件的體積。使功率設(shè)備的體積減小到原來(lái)不可思議的地步。但是更高的頻率，更高的功率密度，要求周邊器件也能適應(yīng)更高的工作頻率，在更寬的溫度范圍以保證穩(wěn)定的工作狀態(tài)。ROHM在SIC發(fā)展最初階段提出了可應(yīng)用SIC產(chǎn)品使用的磁
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