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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

        羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

        • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動,開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

        羅姆半導(dǎo)體: “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動力

        • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹,面對未來的50年,羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  

        采用碳化硅作為變頻器,節(jié)能潛力巨大

        • 編者語:在現(xiàn)代工廠的機(jī)械設(shè)備中,電氣傳動系統(tǒng)所耗費(fèi)的電能占到了60%~70%,采用節(jié)能傳動系統(tǒng)可以為機(jī)械設(shè)備降低...
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  變頻器  節(jié)能  

        富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

        •   富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。   
        • 關(guān)鍵字: 富士電機(jī)  SiC  

        SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

        • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

        SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計(jì)  放大電路  

        LED碳化硅襯底基礎(chǔ)概要

        • 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在...
        • 關(guān)鍵字: LED  碳化硅  

        利用SiC大幅實(shí)現(xiàn)小型化 安川電機(jī)試制新型EV行駛系統(tǒng)

        • 安川電機(jī)試制出了利用SiC功率元件的電動汽車(EV)行駛系統(tǒng)(圖1)。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
        • 關(guān)鍵字: 安川電機(jī)  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

        市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場

        •   在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場的報(bào)告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預(yù)測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展。  
        • 關(guān)鍵字: Xilinx  Semico  SIC  

        英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

        •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。   獨(dú)具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝,該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

        即將普及的碳化硅器件

        •   隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計(jì),60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
        • 關(guān)鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

        SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

        • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
        • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

        SiC二極管逆變器投入應(yīng)用,讓燃料電池車更輕

        •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實(shí)驗(yàn)。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實(shí)現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導(dǎo)體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導(dǎo)通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導(dǎo)通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導(dǎo)通電阻小,因此可
        • 關(guān)鍵字: 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)  

        探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

        •   人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù),它的開發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來,在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層,這樣就能構(gòu)成一套完全獨(dú)立的生物電信號采集方案。   
        • 關(guān)鍵字: SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

        開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點(diǎn)

        • 上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源,IGBT   碳化硅  AC/DC  
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        碳化硅(sic)介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
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