- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅動空載輸出12V,gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度,3uS左右總結由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產品,以后有對應設備
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產生不同頻率的可調制的方波信號,用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
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SiC 碳化硅 MOSFET
- 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
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SiC 碳化硅 SBD
- 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數,所以不僅要比較trr的數值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
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SiC 碳化硅 SBD
- SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
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SiC 碳化硅
- 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
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SiC 碳化硅
- 意法半導體(ST)作為全球領先的汽車半導體供應商之一,多年前就開始布局新能源汽車領域,在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
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SiC 碳化硅 牽引逆變器
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現各種節(jié)能目標的具體數據,圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
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ST 碳化硅 汽車 工業(yè) SiC
- 隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定,應用在工業(yè)和電動汽車上的產品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者,意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用,推出了有關氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產品,有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會,介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下,如何通過創(chuàng)新技術和推出新的產品系列,為世界控制碳排放做出貢獻?! {查,工業(yè)領域中將電力利用效率提升1%,就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
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意法半導體 ST 碳化硅 氮化鎵 202203
- 離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路(有時稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位,但在每個開關周期必須耗散鉗位能量,這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術,使得能效得以提高,但它們會對電源的工作模式帶來限制(例如,無法工作于CCM工作模式)。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制,可以采用另外一種更先進的控制技術,即非互補有源鉗位。該技術可確保以
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MOSFET
- 2022年2月15日,Power Integrations召開新品發(fā)布會,推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC,可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應用。在ACDC消費類應用中積累了深厚經驗的Power Integrations,此次將目光聚焦到電動汽車領域的ACDC應用上
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