我國在硅納米線陣列寬光譜發(fā)光研究中取得新進展

• 　　近期，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI材料與器件課題組在硅納米線陣列寬光譜發(fā)光方面取得新進展。課題組研究人員將SOI與表面等離子體技術(shù)相結(jié)合，研究了硅納米線陣列的發(fā)光性能，并且與復旦大學合作借助時域有限差分法(FDTD)理論計算了硅納米線發(fā)光峰位與納米腔共振模式的對應關系，為實現(xiàn)硅基光電集成奠定了實驗與理論基礎，有助于推動硅基光源的大規(guī)模應用。相關研究成果以Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedde
• 關鍵字： 硅納米線陣列