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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 砷化鎵

        CMOS PA陷入成本和性能兩難,“單芯片手機(jī)”夢(mèng)受阻

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: PA  砷化鎵  CMOS  單芯片手機(jī)  SiCMOS  

        NEC電子推出業(yè)界最小的小型薄型砷化鎵(GaAs)開(kāi)關(guān)IC

        • NEC電子日前完成了用于進(jìn)行高速無(wú)線(xiàn)通信的便攜式設(shè)備、筆記本電腦、終端設(shè)備(terminal)的小型薄型高頻砷化鎵(GaAs)開(kāi)關(guān)IC--“μPG2176T5N”的開(kāi)發(fā),并將于即日起開(kāi)始發(fā)售該產(chǎn)品的樣品。 新產(chǎn)品是建立無(wú)線(xiàn)通信規(guī)格—移動(dòng)WiMAX系統(tǒng)時(shí)必不可缺的切換開(kāi)關(guān)芯片,它主要負(fù)責(zé)收發(fā)數(shù)據(jù)切換及天線(xiàn)切換。該產(chǎn)品被封裝在長(zhǎng)1.5mm、寬1.5mm、高0.37mm的業(yè)界最小的超小型?薄型封裝內(nèi),其封裝面積約為與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品的25%,厚度約為50%,實(shí)現(xiàn)了小型、薄型化。此外,新產(chǎn)品還具有高頻信號(hào)輸出
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        ANADIGICS與昆山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)共建砷化鎵晶圓制造廠(chǎng)

        •   ANADIGICS一家無(wú)線(xiàn)及寬帶通訊綜合方案供應(yīng)商,宣布其已與昆山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)(KSND)簽訂了投資合同,共同在中國(guó)江蘇省昆山市為 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先進(jìn)的六英吋(6")砷化鎵(GaAs)集成電路(IC)晶圓制造廠(chǎng),其目的是在新澤西州沃倫市該公司主要的晶圓制造廠(chǎng)以外擴(kuò)大晶圓生產(chǎn)的能力。   預(yù)計(jì) ANADIGICS, Inc. 將從2007年第四季度起的兩年內(nèi),包括2009年第一季度的初級(jí)生產(chǎn)階段,出資約一千萬(wàn)至一千五百萬(wàn)美元。ANADIGICS, Inc. 在該廠(chǎng)的存
        • 關(guān)鍵字: ANADIGICS  晶圓制造廠(chǎng)  砷化鎵  其他IC  制程  

        2002年11月,我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實(shí)現(xiàn)零突破

        •   2002年11月,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶,實(shí)現(xiàn)了我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。
        • 關(guān)鍵字: 電子  砷化鎵  
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        砷化鎵介紹

        砷化鎵(英文名稱(chēng)為Gallium arsenide,化學(xué)式為GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導(dǎo)體材料,被用來(lái)制作像微波集成電路(例如單晶微波集成電路( MMIC))、紅外線(xiàn)發(fā)光二極管、雷射二極管和太陽(yáng)電池等元件。 砷化鎵的優(yōu)點(diǎn) GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性,如高的飽和電子速率及高的電子移動(dòng)率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的場(chǎng)合。如果等效的GaA [ 查看詳細(xì) ]

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