DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

• 　　DRAM 8英寸線將逐漸退出 　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 　　臺灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 　　臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應(yīng)用中，有
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