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碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
- 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
面向 Vishay 光耦合器產(chǎn)品的新型熱模型可縮短設計時間
- Vishay 是率先為總功耗大于 200mW 的新器件提供 詳細熱數(shù)據(jù)的光耦合器與固體繼電器制造商 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代碼：VSH）宣布，該公司目前正在為最近推出的總功耗為 200mW 及更高的光耦合器及固體繼電器 (SSR) 提供詳細的熱特性數(shù)據(jù)。Vishay 是業(yè)界率先提供熱模型的光耦合器與 SSR 制
- 關鍵字： Vishay 單片機 電源技術 光耦合器產(chǎn)品 模擬技術 嵌入式系統(tǒng) 熱模型 設計時間
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熱模型介紹
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