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集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對(duì)許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應(yīng)用中，各個(gè)壓降會(huì)產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運(yùn)的是，MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管，并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： 理想二極管 源選擇器 eFuse
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