- 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結溫計算。與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
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IGBT 損耗 溫升
- 利用LED實現(xiàn)高亮度照明要求使用廠商允許的最大電流驅(qū)動，但LED的平均壽命高度取決于工作溫度。工作溫度僅上升...
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熱反饋 LED 溫升
- 利用LED實現(xiàn)高亮度照明要求使用廠商允許的最大電流驅(qū)動，但LED的平均壽命高度取決于工作溫度。工作溫度僅上升...
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降低 LED 溫升
- 摘要：本文簡要分析了平面型變壓器在抑制高頻變壓器中的漏感和溫升中的作用。敘詞：平面型變壓器 高頻變壓器 漏感 溫升 電源Abstract：The function of planar power transformer in the suppression of leakage in
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變壓器 溫升 高頻 抑制 采用 平面
- 1 引言 隨著新型電力電子器件和高性能微處理器的應用、控制技術的發(fā)展、電機傳動技術的發(fā)展和國家節(jié)能減排的需要，變頻技術產(chǎn)品在國民經(jīng)濟各行業(yè)得到很好應用，資料顯示，2010年低壓變頻器行業(yè)增長30%以上，規(guī)模達
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方法 探討 試驗 及其 溫升 變頻器
- 過去LED 業(yè)者為了獲得充分的白光LED 光束，曾經(jīng)開發(fā)大尺寸LED芯片 試圖藉此方式達到預期目標。不過，實際上白光LED的施加電力持續(xù)超過1W以上時光束反而會下降，發(fā)光效率相對降低20~30%.換句話說，白光LED的亮度如果要
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解決 方法 問題 溫升 LED 白光
- 過去LED 業(yè)者為了獲得充分的白光LED 光束，曾經(jīng)開發(fā)大尺寸LED芯片 試圖藉此方式達到預期目標。不過，實際上白光LED的施加電力持續(xù)超過1W以上時光束反而會下降，發(fā)光效率相對降低20~30%.換句話說，白光LED的亮度如果要
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解決方案 問題 溫升 LED 白光
- 采用空氣冷卻的變壓器，它的溫升除了與磁心損耗和繞組銅損之和有關外，還和輻射表面的面積有關。氣流流經(jīng)變壓器 ...
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變壓器 溫升 空氣
- 隨著各國對環(huán)境問題的Et益重視，LED照明備受關注。目前，LED具有較高的發(fā)光效率，制造成本也在大幅下降，LED照明應用前景廣闊。然而，大功率LED燈的散熱仍然是LED照明行業(yè)發(fā)展的瓶頸，若散熱問題得不到解決，將會使
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解決 辦法 溫控 溫升 LED 大功率
- 1 引言 工頻變壓器的計算方法很多人認為已趨成熟沒有什么可討論的，對于一個單位的工程技術人員來講溫升計算問題可能并不存在，溫升本身來源于試驗數(shù)據(jù)，企業(yè)本身有大量試驗數(shù)據(jù)，溫升問題垂手可得。下面就溫升的
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公式 計算 溫升 變壓器
- 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
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溫升 1部分 MOSFET 估算 設計 電源 TI 德州儀器
- 在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
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溫升 2部分 MOSFET 估算 設計 電源 TI 德州儀器
- 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
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MOSFET 溫升
- 過去估算半導體溫升十分簡單。您只需計算出組件的功耗，然后采用冷卻電路電模擬即可確定所需散熱片的類型?，F(xiàn)在出于對尺寸和成本因素的考慮，人們渴望能夠去除散熱片，這就使得這一問題復雜化了。貼裝在散熱增強
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估算 溫升 半導體 表面
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