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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 比較

        3款LED顯示屏驅(qū)動(dòng)芯片比較

        • LED顯示屏作為一項(xiàng)高科技產(chǎn)品引起了人們高度重視,采用計(jì)算機(jī)控制,將光、電融為一體的大屏幕智能顯示屏已經(jīng)應(yīng)用到很多領(lǐng)域。LED顯示屏的像素點(diǎn)采用LED發(fā)光二極管,將許多發(fā)光二極管以點(diǎn)陣方式排列起來,構(gòu)成LED陣列,進(jìn)而
        • 關(guān)鍵字: 比較  芯片  驅(qū)動(dòng)  顯示屏  LED  

        比較分析三種不同的嵌入式多內(nèi)核設(shè)計(jì)

        • 比較分析三種不同的嵌入式多內(nèi)核設(shè)計(jì),使用多處理器內(nèi)核要求軟、硬件團(tuán)隊(duì)之間進(jìn)行更多的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)合作?;谶@種理念,下面是對(duì)采用當(dāng)前開發(fā)工具和硬件直接實(shí)現(xiàn)多內(nèi)核系統(tǒng)的三個(gè)簡(jiǎn)單模型的概述。這些多內(nèi)核設(shè)計(jì)模式不是一個(gè)為了嚴(yán)格定義一個(gè)系統(tǒng)的剛性模
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)核  設(shè)計(jì)  嵌入式  不同  分析  比較  

        高壓變頻器手動(dòng)旁路方式與自動(dòng)旁路方式應(yīng)用的比較

        • 1 引言  高壓電動(dòng)機(jī)在未進(jìn)行調(diào)速改造之前,由電機(jī)上口的斷路器控制啟停,電動(dòng)機(jī)直接與母線連接,定速運(yùn)行。在進(jìn)行變頻調(diào)速改造后,電動(dòng)機(jī)與母線之間除了原來的高壓斷路器外,還增加了一套高壓變頻調(diào)速裝置。隨著變
        • 關(guān)鍵字: 方式  高壓變頻器  比較  手動(dòng)旁路    

        OLED LCD工藝成本比較

        • 經(jīng)??吹揭恍┪恼潞驮u(píng)論認(rèn)為與LCD比較,OLED設(shè)備投資少,工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低。這種看法是完全錯(cuò)誤的,成本不在于工藝簡(jiǎn)單不簡(jiǎn)單,而在于各步工序的成品率。我一直想不通LCD投資怎么會(huì)比OLED多。LCD的主要設(shè)備投資在
        • 關(guān)鍵字: OLED  LCD  工藝  比較    

        OLED與LCD技術(shù)的比較

        • OLED與LCD技術(shù)的比較
          手機(jī)采用OLED、TFT ,CSTN的特性比?
        • 關(guān)鍵字: OLED  LCD  比較    

        目前主要光伏發(fā)電技術(shù)之比較

        • 太陽能光伏技術(shù)是將太陽能轉(zhuǎn)化為電力的技術(shù),其核心是可釋放電子的半導(dǎo)體物質(zhì),最常用的半導(dǎo)體材料是硅。太陽能光伏電池有兩層半導(dǎo)體,一層為正極,一層為負(fù)極,當(dāng)陽光照射在半導(dǎo)體上時(shí),兩極交界處產(chǎn)生電流,陽光強(qiáng)
        • 關(guān)鍵字: 光伏  發(fā)電技術(shù)  比較    

        LED恒流驅(qū)動(dòng)與其他控制模式的比較

        • 市場(chǎng)上可以買到的微功率 電源 芯片有以下幾種控制模式:  PFM、PWM 、chargepump、FPWM、PFM/PWM以及pulse-skipPWM、digitalPWM  其中常見的有PFM、PWM、chargepump以及PFM/PWM  1、PFM是通過調(diào)節(jié)脈沖頻率(即開
        • 關(guān)鍵字: 模式  比較  控制  其他  驅(qū)動(dòng)  LED  

        FPGA 解決方案和標(biāo)準(zhǔn)控制器內(nèi)核比較

        • FPGA 解決方案和標(biāo)準(zhǔn)控制器內(nèi)核比較, MicroBlaze處理器是賽靈思(Xilinx)在嵌入式開發(fā)套件 (EDK) 中提供的兩款32位內(nèi)核之一,是實(shí)現(xiàn)硬件加速的靈活工具。圖1是MicroBlaze的典型設(shè)計(jì)。該內(nèi)核含有一個(gè)32位乘法器,但不含浮點(diǎn)單元(FPU)、桶式移位器或?qū)S糜?/li>
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)核  比較  控制器  標(biāo)準(zhǔn)  解決方案  FPGA  

        基于電流極限比較器的設(shè)計(jì)

        • 中心議題: 基于電流極限比較器的設(shè)計(jì) 電流極限比較器的新結(jié)構(gòu)及原理解決方案: 采用電流鏡網(wǎng)絡(luò)代替電阻網(wǎng)絡(luò) 采用TSMC0.25mu;m工藝模型 采用cascode結(jié)構(gòu)組成電流比較器
          1.引言

          開關(guān)電源因體積
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  比較  極限  電流  基于  

        可見光傳感器與光敏管的比較

        • 光傳感器的應(yīng)用非常普遍。從便攜式消費(fèi)類市場(chǎng)(智能手機(jī)、PDA、臺(tái)式PC以及便攜式音樂播放器等)到消費(fèi)類電視機(jī)市場(chǎng)(包括液晶、等離子、背投以及CRT電視等),再到醫(yī)療、工業(yè)及汽車市場(chǎng),光傳感器無處不在。其中,一些應(yīng)
        • 關(guān)鍵字: 比較  光敏  傳感器  可見光  

        一種新型的電流極限比較器

        • 1.引言

          開關(guān)電源因體積小、重量輕、效率高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)在電子、電器設(shè)備、家電等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用, 進(jìn)入了快速發(fā)展期。開關(guān)電源的基本工作原理為: 在不同的負(fù)載情況下, 反饋控制電路通過改變功率開關(guān)管
        • 關(guān)鍵字: 比較  極限  電流  新型  

        電源模塊與分立式穩(wěn)壓器的優(yōu)缺點(diǎn)比較

        • 什么是模塊化穩(wěn)壓器? 下面的示意圖給出了一個(gè)簡(jiǎn)單的非隔離式直流/直流開關(guān)穩(wěn)壓器的基本構(gòu)建模塊。脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制、電流開關(guān)以及儲(chǔ)存能量的電感和電容都是必需配置。右側(cè)的模塊化穩(wěn)壓器將電流開關(guān)連同電感都
        • 關(guān)鍵字: 電源模塊  比較  分立式穩(wěn)壓器    

        EPS與UPS的區(qū)別比較

        • 從IEC的定義來說,EPS從功能上與后備式UPS的定義是符合的,即在市電正常時(shí),由市電向負(fù)載供電;當(dāng)市電出現(xiàn)故障時(shí),由電池組提供能量,經(jīng)逆變器向負(fù)載供電。但是,有人說EPS就是后備式UPS,這種說法并不科學(xué),貶低了EP
        • 關(guān)鍵字: 比較  區(qū)別  UPS  EPS  

        IGBT及其子器件的四種失效模式比較

        • 摘要:本文通過案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

          關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

        • 關(guān)鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

        四種高電壓鋰離子電池組的充電方法比較

        • 摘要:本文介紹了高電壓鋰離子電池組的四種充電方法,并進(jìn)行了優(yōu)缺點(diǎn)的比較?! £P(guān)鍵詞:高電壓;鋰離子電池組;串聯(lián)充電;并聯(lián)充電  Abstract: Four charge techniques of high voltage lithium ion battery pac
        • 關(guān)鍵字: 方法  比較  充電  電池組  鋰離子  電壓  
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