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	橫向電場
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        超結結構的功率MOSFET輸出電容特性
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產生影響。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        202008  功率  MOSFET  超結結構  輸出電容  橫向電場                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
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