柵極感應(yīng) 文章 進(jìn)入柵極感應(yīng)技術(shù)社區(qū)
NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC
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柵極感應(yīng)介紹
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