雜散電感 文章 進入雜散電感技術(shù)社區(qū)
雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開關(guān)特性
如何控制IGBT逆變器設(shè)計中的雜散電感
- IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計 ...
- 關(guān)鍵字： IGBT 逆變器設(shè)計 雜散電感
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