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電力半導體模塊的發(fā)展過程及新趨勢

　　摘要：簡要敘述了電力半導體模塊的發(fā)展過程，介紹了晶閘管智能模塊的結構和特性，描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，指出了我國大力發(fā)展IPEM的必要性。　　關鍵詞：電力半導體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊　　一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀，促進電力電子技術向前發(fā)展。自1957年第一個晶閘管問世以來，經過40多年的開發(fā)和研究，已推出可關斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
關鍵字：電力半導體模塊智能晶閘管模塊 IGBT模塊半導體材料

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