KAUST：超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結(jié)

• 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室一項(xiàng)關(guān)于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質(zhì)結(jié)（Phase Heterojunction）的新研究發(fā)表在《Advanced Materials》上。論文第一作者為陸義博士。文章首次在實(shí)驗(yàn)中展示了β相和κ相Ga2O3之間的清晰的、明確的、原子排列有序的、并具有II型能帶對齊的晶相異質(zhì)結(jié)，為研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質(zhì)結(jié)提供了新的見解，并證明利用晶相異質(zhì)結(jié)可以極
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